自组装GaN/AlN量子点结构生长的初步研究
| 中英文摘要 | 第1-7页 |
| 绪论 | 第7-10页 |
| 第一节 氮化物半导体材料 | 第7-8页 |
| 第二节 论文选题依据 | 第8-10页 |
| 第一章 量子点半导体材料 | 第10-16页 |
| 第一节 半导体量子点的基本性质 | 第10-13页 |
| 第二节 半导体量子点器件的应用 | 第13-15页 |
| 第三节 小结 | 第15-16页 |
| 第二章 实验装置 | 第16-22页 |
| 第一节 引言 | 第16页 |
| 第二节 装置介绍 | 第16-19页 |
| 第三节 小结 | 第19-22页 |
| 第三章 材料的表面分析 | 第22-32页 |
| 第一节 引言 | 第22-23页 |
| 第二节 反射高能电子衍射 | 第23-27页 |
| 第三节 X射线衍射 | 第27-29页 |
| 第四节 原子力显微镜 | 第29-31页 |
| 第五节 小结 | 第31-32页 |
| 第四章 薄膜生长理论 | 第32-43页 |
| 第一节 引言 | 第32页 |
| 第二节 薄膜生长 | 第32-38页 |
| 第三节 GaN／AlN量子点结构生长 | 第38-41页 |
| 第四节 小结 | 第41-43页 |
| 第五章 GaN／AlN量子点结构生长实验 | 第43-51页 |
| 第一节 引言 | 第43页 |
| 第二节 化学反应及Ⅴ／Ⅲ化学配比的计算 | 第43-46页 |
| 第三节 生长工艺 | 第46-49页 |
| 第四节 小结 | 第49-51页 |
| 第六章 实验结果分析 | 第51-66页 |
| 第一节 引言 | 第51页 |
| 第二节 清洗和氮化 | 第51-57页 |
| 第三节 缓冲层的生长 | 第57-59页 |
| 第四节 外延层的生长 | 第59-64页 |
| 第五节 GaN量子点的生长 | 第64页 |
| 第六节 总结与设想 | 第64-66页 |
| 参考文献 | 第66-69页 |
| 致谢 | 第69页 |
