| 致谢 | 第1-4页 |
| 发表论文及专利申请 | 第4-5页 |
| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-12页 |
| 第一章 引言 | 第12-33页 |
| ·SOI技术综述 | 第12-25页 |
| ·SOI技术的发展过程 | 第13-14页 |
| ·SOI技术的优越性 | 第14-18页 |
| ·SOI技术的应用现状与进展 | 第18-19页 |
| ·SOI材料制备技术 | 第19-23页 |
| ·注氧隔离技术 | 第19-20页 |
| ·智能剥离技术 | 第20-21页 |
| ·多孔硅外延层转移技术 | 第21页 |
| ·原子层剥离技术 | 第21-23页 |
| ·SOI材料新动态 | 第23-25页 |
| ·吸杂技术综述 | 第25-30页 |
| ·常规吸杂技术 | 第25-28页 |
| ·本征氧沉淀吸杂 | 第26-27页 |
| ·背面磷扩散吸杂 | 第27页 |
| ·损伤吸杂 | 第27-28页 |
| ·纳米空腔吸杂 | 第28-30页 |
| ·论文提要 | 第30-31页 |
| 参考文献 | 第31-33页 |
| 第二章 纳米空腔吸杂 | 第33-51页 |
| ·引言 | 第33页 |
| ·SI中纳米空腔的形成机制 | 第33-37页 |
| ·SOI材料中Cu金属杂质的纳米空腔吸杂 | 第37-43页 |
| ·未引入纳米空腔的SIMOX中Cu杂质的退火行为 | 第37-39页 |
| ·SIMOX SOI中HE~+注入纳米空腔对Cu杂质的吸除 | 第39-41页 |
| ·HE~+注入纳米空腔对SMART-CUT SOI中Cu杂质的吸除 | 第41-43页 |
| ·纳米空腔与AL沉淀的吸杂效率对比 | 第43-49页 |
| ·引言 | 第43页 |
| ·实验方法 | 第43-44页 |
| ·退火样品的SIMS结果与分析 | 第44-46页 |
| ·退火样品的TEM结果与分析 | 第46-49页 |
| ·本章小结 | 第49-50页 |
| 参考文献 | 第50-51页 |
| 第三章 厚埋层SOI材料的制备 | 第51-62页 |
| ·引言 | 第51-53页 |
| ·材料制备 | 第53-55页 |
| ·实验结果与讨论 | 第55-57页 |
| ·SMART-CUT SOI材料中的应力分析 | 第57-60页 |
| ·本章小结 | 第60-61页 |
| 参考文献 | 第61-62页 |
| 第四章 氢氧共注入制备SOI材料初探 | 第62-84页 |
| ·引言 | 第62-63页 |
| ·实验方法 | 第63-64页 |
| ·结果分析 | 第64-81页 |
| ·氢、氧注入的TRIM 94模拟 | 第64-66页 |
| ·退火样品的AES深度分析 | 第66-69页 |
| ·退火样品的SIMS分析 | 第69-72页 |
| ·退火前后样品的TEM结果与分析 | 第72-79页 |
| ·氢氧共注入样品SOI结构形成机制的讨论 | 第79-81页 |
| ·本章小结 | 第81-83页 |
| 参考文献 | 第83-84页 |
| 第五章 总结 | 第84-86页 |
| 简历 | 第86页 |