| 中文摘要 | 第1-5页 |
| 英文摘要 | 第5-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-13页 |
| 1．1 GaAs材料特性及其重要地位 | 第9-10页 |
| 1．2 半绝缘GaAs研究状况及其存在的问题 | 第10-11页 |
| 1．2．1 研究状况 | 第10-11页 |
| 1．2．2 存在问题 | 第11页 |
| 1．3 选题的目的及其意义 | 第11-12页 |
| 1．4 本论文主要工作 | 第12-13页 |
| 第二章 NDLECSI GaAs晶体生长及其特性 | 第13-28页 |
| 2．1 NDLECSI GaAs晶体生长 | 第13-21页 |
| 2．1．1 GaAs相图及单晶制备方法 | 第13-17页 |
| 2．1．2 原生GaAs中的本征缺陷及电活性杂质 | 第17-20页 |
| 2．1．3 NDLECSI GaAs的半绝缘特性的补偿机制 | 第20-21页 |
| 2．2 原生GaAs晶体本征施主缺陷EL2的特性 | 第21-25页 |
| 2．2．1 EL2的结构模型 | 第21-22页 |
| 2．2．2 EL2的亚稳态特性 | 第22-23页 |
| 2．2．3 EL2的浓度及其分布 | 第23-25页 |
| 2．3 NDLECSI GaAs电参数性质 | 第25-28页 |
| 2．3．1 电参数的不均匀性 | 第25-26页 |
| 2．3．2 电参数的热稳定性 | 第26-28页 |
| 第三章 热处理对NDLECSI GaAs中本征缺陷及电特性的影响 | 第28-56页 |
| 3．1 实验理论方法 | 第28-41页 |
| 3．1．1 热处理实验 | 第28-30页 |
| 3．1．2 GaAs中位错与As沉淀的显示 | 第30-35页 |
| 3．1．3 EL2浓度及GaAs电参数的测量 | 第35-40页 |
| 3．1．4 实验方法 | 第40-41页 |
| 3．2 实验结果与讨论 | 第41-54页 |
| 3．2．1 热处理与EL2的关系 | 第41-48页 |
| 3．2．2 热处理与样品电参数的关系 | 第48-54页 |
| 3．3 结论 | 第54-56页 |
| 结论 | 第56-57页 |
| 参考文献 | 第57-61页 |
| 致谢 | 第61-62页 |
| 攻读硕士学位期间所取得的相关科研成果 | 第62页 |