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ECR_PAMOCVD外延生长C_GaN过程中等离子体微参数对衬底预处理的影响
控制技术在GaN薄膜生长过程中的应用
低温多晶硅材料及其器件的研究
Co/ZnO纳米颗粒薄膜的磁特性研究
多孔硅的形成及其光谱研究
AlGaN/GaN异质结二维电子气输运性质
GaAs基HBT材料的外延生长及其特性研究
宽禁带半导体材料—AIN薄膜的离子束合成与表征
GaAs;Si;Cu光控半导体开关基体材料特性的研究
多晶GaN薄膜的制备与特性研究
SR-MOCVD方法沉积ZnO薄膜及其性能研究
CHF3等离子体处理对SiCOH薄膜性能的影响
平板式PECVD设备布气系统的分析和优化
氢化纳米硅薄膜力学及电学性质的研究
P型导电SnO2基薄膜及其同质/异质结的研究
基于ECR-PEMOCVD技术的GaMnN薄膜的制备及其表征
热丝化学气相沉积制备微晶硅薄膜的研究
直流脉冲磁控溅射法制备SiN_x/SiN_xO_y薄膜及其性能研究
Ⅱ-Ⅵ族半导体纳米材料的水热合成、表征及光学性能研究
ZnO掺杂改性的第一性原理研究
退火处理对LaAlO3薄膜微结构及性能的影响
掺杂SiC薄膜的制备及性能研究
ZnO薄膜的制备与性能分析
微纳结构镍薄膜的制备与超快电子动力学研究
机械合金化制备Fe掺杂氧化物稀磁半导体
半导体纳米结构中超快太赫兹光谱与非线性光学特性研究
半导体氧化锌的制备、光学及场发射特性的研究
Fe、Cu共掺杂In2O3稀释磁性半导体的结构和室温铁磁性研究
溶胶凝胶法制备In2O3基稀释磁性半导体及其性质的研究
硅基半导体中微观缺陷和电子结构对材料光电性能的影响
稀土-IV-VI族稀磁半导体材料的合成与La-Cu-Sn合金相图研究
掺锗直拉硅中的杂质缺陷及其光伏应用研究
快速热处理对直拉单晶硅中氧沉淀和内吸杂的影响
基于表面等离子体及半导体准一维纳米结构的光子器件研究
空位对直拉硅单晶中氧沉淀形核的作用
新型AgNiSnO2材料的制备与性能研究
PLD（脉冲激光沉积法）制备ZnO基稀磁半导体薄膜及其性能研究
普通和掺氮的重掺砷直拉硅单晶的氧沉淀行为
Mg2Si基半导体的制备及其热电性能研究
直拉硅单晶中氧沉淀的熟化
MOCVD法可控生长磷掺杂ZnO量子点及其性能研究
可见光响应半导体光催化剂的制备及其性能研究
多孔硅薄膜的制备工艺与微观结构分析
典型Ⅲ族氮化物半导体材料第一性原理研究
过渡金属氮化物表面铜团聚机理的密度泛函理论研究
硅和硅锗合金半导体中碳相关缺陷和自间隙缺陷的从头计算研究
ZnO光学性质与掺杂的第一性原理研究
立方氮化硼单晶半导体特性及电致发光现象的研究
ZnO薄膜生长及其ECV测试研究
脉冲激光沉积氧化锌薄膜的组织结构与光学性能
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