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新型稀磁半导体MnxCd1-xIn2Te4晶体生长及组织结构与性能研究

中文摘要第1-6页
英文摘要第6-9页
目录第9-15页
第一章 绪论第15-34页
 1.1 引言第15-16页
 1.2 DMS的物理性质第16-17页
 1.3 DMS的应用前景第17页
 1.4 Mn_xCd_(1-x)In_2Te_4晶体研究第17-24页
  1.4.1 Mn_xCd_(1-x)In_2Te_4化合物的相图第18-20页
  1.4.2 Mn_xCd_(1-x)In_2Te_4晶体结构第20-22页
  1.4.3 Mn_xCd_(1-x)In_2Te_4晶格常数第22-23页
  1.4.4 Mn_xCd_(1-x)In_2Te_4晶体的光学性能第23-24页
  1.4.5 Mn_xCd_(1-x)In_2Te_4晶体的磁性行为第24页
 1.5 Ⅱ-Ⅲ_2-Ⅵ_4类化合物的晶体制备方法第24-29页
 1.6 研究目的第29页
 1.7 研究内容第29-30页
 1.8 研究方法第30-31页
 参考文献第31-34页
第二章 Mn_xCd_(1-x)In_2Te_4晶体生长方法及生长条件分析第34-55页
 2.1 引言第34页
 2.2 成分设计第34页
 2.3 坩埚镀膜第34-35页
 2.4 温度场研究第35-39页
 2.5 生长速率第39-40页
 2.6 ACRT旋转参数第40页
 2.7 装料顺序第40页
 2.8 合料第40-42页
  2.8.1 合料温度第41-42页
  2.8.2 摇炉摆速第42页
 2.9 熔点的测定第42-46页
 2.10 晶体生长第46-52页
  2.10.1 晶体生长参数第46-50页
  2.10.2 晶锭的宏观形貌第50-51页
  2.10.3 Mn_xCd_(1-x)In_2Te_4晶锭对空炉膛温度分布的影响第51-52页
 2.11 晶片的后续处理第52页
 2.12 小结第52-54页
 参考文献第54-55页
第三章 Mn_xCd_(1-x)In_2Te_4晶体腐蚀机理研究第55-65页
 3.1 引言第55页
 3.2 宏观腐蚀液的选择第55-56页
 3.3 显微腐蚀液的选择第56-58页
  3.3.1 显微腐蚀原理第56-57页
  3.3.2 显微腐蚀液的探索第57-58页
 3.4 Mn_xCd_(1-x)In_2Te_4晶体微观腐蚀研究第58-62页
  3.4.1 α+β两相区的腐蚀第58-60页
   3.4.1.1 α相和β相的腐蚀速度第58-59页
   3.4.1.2 不同组分晶片的腐蚀速度第59-60页
  3.4.2 β单相区的腐蚀第60-61页
  3.4.3 腐蚀机理分析第61-62页
 3.5 腐蚀液在化学抛光过程中的应用第62-63页
 3.6 小结第63-64页
 参考文献第64-65页
第四章 Mn_xCd_(1-x)In_2Te_4晶体中的组织形貌与缺陷分析第65-88页
 4.1 引言第65页
 4.2 晶锭的宏观组织第65-66页
 4.3 微观组织第66-73页
 4.4 MCIT01B晶锭轴向相析出规律与成分分布的关系第73-74页
 4.5 界面形态及界面处的成分分析第74-79页
  4.5.1 界面形态第74-77页
  4.5.2 界面附近的组分分析第77-79页
 4.6 Mn_xCd_(1-x)In_2Te_4晶体中的缺陷第79-84页
  4.6.1 裂纹第79-80页
  4.6.2 位错第80-82页
  4.6.3 层错第82-83页
  4.6.4 孪晶第83-84页
 4.7 MCIT01A晶锭的组织分析第84-86页
 4.8 小结第86-87页
 参考文献第87-88页
第五章 Mn_xCd_(1-x)In_2Te_4晶体中相的稳定性及析出次序第88-96页
 5.1 引言第88页
 5.2 实验方法第88-89页
 5.3 退火后的组织第89-90页
 5.4 β_1相的形成机理第90-92页
 5.5 退火前后的成分分析第92-93页
 5.6 相的析出次序第93-95页
 5.7 小结第95页
 参考文献第95-96页
第六章 Mn_xCd_(1-x)In_2Te_4在Bridgman法晶体生长过程中的溶质再分配与成分偏析第96-114页
 6.1 引言第96页
 6.2 实验方法第96-97页
 6.3 结果分析第97-102页
  6.3.1 沿轴向不同区域成分波动范围的比较第97-98页
  6.3.2 结晶界面形态第98页
  6.3.3 各组元分凝行为的计算模型第98-100页
  6.3.4 晶体分凝行为的实验结果及分凝因数的估算第100-102页
  6.3.5 径向成分分布规律第102页
 6.4 生长过程中液固界面深度的变化规律第102-108页
  6.4.1 晶体生长过程中液固界面深度变化的实验结果第102-104页
  6.4.2 晶体生长过程中液固界面深度变化的计算结果第104-108页
   6.4.2.1 Bridgman法生长过程第105-107页
   6.4.2.2 ACRT-B法生长过程第107-108页
 6.5 增大β单相区长度的长晶方案第108-111页
  6.5.1 ACRT-B法生长Mn_xCd_(1-x)In_2Te_4晶体第108-109页
  6.5.2 Bridgman法生长Mn_xCd_(1-x)In_2Te_4晶体第109-111页
 6.6 小结第111-113页
 参考文献第113-114页
第七章 固态再结晶法生长Mn_xCd_(1-x)In_2Te_4晶体第114-125页
 7.1 引言第114页
 7.2 固态再结晶生长方法第114-115页
 7.3 实验方法第115-116页
 7.4 实验结果及其分析第116-123页
  7.4.1 晶体的宏观组织第116-118页
  7.4.2 微观组织、结构和成分分析第118-122页
   7.4.2.1 多相区第118-120页
   7.4.2.2 单相区第120-122页
  7.4.3 相的形成第122页
  7.4.4 物性测试第122页
  7.4.5 固态再结晶法生长Mn_xCd_(1-x)In_2Te_4晶体中存在的问题及改进的措施第122-123页
 7.5 小结第123-124页
 参考文献第124-125页
第八章 Mn_xCd_(1-x)In_2Te_4晶体中的相结构分析第125-136页
 8.1 引言第125页
 8.2 Mn_xCd_(1-x)In_2Te_4晶体中相的结构分析第125-127页
 8.3 晶格结构参数第127-130页
 8.4 X射线图谱中衍射峰的变化规律第130-134页
  8.4.1 不同组分的晶体中β相区的X射线衍射第130-132页
  8.4.2 MCIT022B晶锭中各相的X射线衍射第132-134页
 8.5 Mn_xCd_(1-x)In_2Te_4晶体密度的测量第134-135页
 8.6 小结第135页
 参考文献第135-136页
第九章 Mn_xCd_(1-x)In_2Te_4晶体的红外光学特性和电学性能研究第136-151页
 9.1 引言第136页
 9.2 Mn_xCd_(1-x)In_2Te_4晶体的光学性能第136-144页
  9.2.1 实验方法第136页
  9.2.2 红外透过原理第136-137页
  9.2.3 近红外透射光谱第137-139页
  9.2.4 中红外透射光谱第139-142页
  9.2.5 光学常数的确定第142-143页
  9.2.6 Mn_xCd_(1-x)In_2Te_4晶体退火前后红外透过率的对比第143-144页
 9.3 Mn_xCd_(1-x)In_2Te_4晶体的电学性质第144-148页
  9.3.1 实验方法第144-145页
  9.3.2 接触电极的制备第145-146页
  9.3.3 实验结果分析第146-148页
  9.3.4 Mn_xCd_(1-x)In_2Te_4的巨负磁阻效应和金属—绝缘体转变效应的预测第148页
 9.4 小结第148-150页
 参考文献第150-151页
第十章 Mn_xCd_(1-x)In_2Te_4晶体的磁学性能研究第151-161页
 10.1 引言第151页
 10.2 实验方法第151页
 10.3 Mn_xCd_(1-x)In_2Te_4磁化率与磁场强度的关系第151-155页
 10.4 Mn_xCd_(1-x)In_2Te_4磁化率与温度的关系第155-158页
 10.5 小结第158-160页
 参考文献第160-161页
第十一章 Mn_xCd_(1-x)In_2Te_4晶体的巨法拉第效应第161-167页
 11.1 引言第161页
 11.2 研究方法第161页
 11.3 原理第161-163页
 11.4 实验结果及其分析第163-165页
 11.5 低温下的法拉第效应分析第165页
 11.6 小结第165-166页
 参考文献第166-167页
主要结论第167-169页
致谢第169-170页
攻读博士学位期间发表的论文第170-171页

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