| 中文摘要 | 第1-4页 |
| 英文摘要 | 第4-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-12页 |
| §1-1 GaAs材料特性简介 | 第8页 |
| §1-2 GaAs材料应用的历史和现状 | 第8-9页 |
| §1-3 研究半绝缘GaAs衬底材料对MESFET器件性能影响的意义 | 第9-10页 |
| §1-4 论文的主要研究内容 | 第10-12页 |
| 第二章 NDLECSI GaAs衬底参数及其测量 | 第12-18页 |
| §2-1 NDLECSI GaAs衬底中的主要电活性杂质和主要缺陷 | 第12-14页 |
| 2-1-1 NDLECSI GaAs衬底中的主要电活性杂质 | 第12-13页 |
| 2-1-2 NDLECSI GaAs衬底中的主要本征缺陷 | 第13-14页 |
| §2-2 NDLECSI GaAs衬底中EL2浓度和载流子浓度的测量 | 第14-18页 |
| 2-2-1 多波长红外吸收法测量EL2浓度 | 第14-15页 |
| 2-2-2 局域振动膜红外吸收法测量C浓度 | 第15页 |
| 2-2-3 Hall效应测量NDLECSI GaAs样品中载流子浓度 | 第15-18页 |
| 第三章 NDLECSI GaAs中主要杂质和缺陷与电参数分布的关系 | 第18-26页 |
| §3-1 NDLECSI GaAs衬底中电参数的分布 | 第18-23页 |
| 3-1-1 NDLECSI GaAs的三能级补偿模型 | 第18-19页 |
| 3-1-2 NDLECSl GaAs的电参数分布 | 第19-23页 |
| §3-2 NDLECSI GaAs中C和EL2与电参数的关系 | 第23-26页 |
| 第四章 NDLECSI GaAs衬底材料对MESFET器件性能的影响 | 第26-43页 |
| §4-1 MESFET器件结构特性和制造工艺 | 第26-30页 |
| 4-1-1 GaAs MESFET器件结构 | 第26-27页 |
| 4-1-2 MESFET器件的特性 | 第27-29页 |
| 4-1-3 GaAs MESFET器件的制造工艺 | 第29-30页 |
| §4-2 NDLECSI GaAs衬底材料对MESFET器件阈值电压的影响 | 第30-33页 |
| §4-3 NDLECSI GaAs衬底材料特性与注入Si激活率的关系 | 第33-36页 |
| §4-4 NDLECSI GaAs衬底材料对MESFET器件背栅效府的影响 | 第36-43页 |
| 结论 | 第43-45页 |
| 参考文献 | 第45-47页 |
| 致谢 | 第47-48页 |
| 攻读学位期间所取得的相关科研成果 | 第48页 |
