| 摘要 | 第6-7页 |
| ABSTRACT | 第7页 |
| 缩略词术语注释表 | 第10-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-20页 |
| 1.1 引言 | 第11-14页 |
| 1.2 MOSFET模型研究现状 | 第14-16页 |
| 1.3 MOSFET模型建立的方法 | 第16-18页 |
| 1.4 论文的主要结构和创新点 | 第18-20页 |
| 第二章 MOSFET小信号模型与噪声模型 | 第20-29页 |
| 2.1 MOS器件的小信号模型 | 第20-22页 |
| 2.1.1 忽略衬底效应的小信号模型 | 第21页 |
| 2.1.2 考虑衬底效应的小信号模型 | 第21-22页 |
| 2.2 MOS器件的噪声模型 | 第22-26页 |
| 2.2.1 PUCEL噪声模型 | 第22-24页 |
| 2.2.2 POSPIESZALSKI噪声模型 | 第24-25页 |
| 2.2.3 BSIM3v3噪声模型 | 第25页 |
| 2.2.4 PSP噪声模型 | 第25-26页 |
| 2.3 MOS器件的噪声源 | 第26-28页 |
| 2.3.1 沟道噪声 | 第26-27页 |
| 2.3.2 栅极感应噪声 | 第27页 |
| 2.3.3 栅极电阻噪声 | 第27-28页 |
| 2.4 本章小结 | 第28-29页 |
| 第三章 MOSFET小信号模型参数提取与仿真 | 第29-54页 |
| 3.1 焊盘与互连线去嵌技术 | 第29-34页 |
| 3.2 寄生元件参数提取 | 第34-37页 |
| 3.3 晶体管参数提取 | 第37-45页 |
| 3.3.1 串联寄生电阻参数提取 | 第39-41页 |
| 3.3.2 R_(sub)和C_(sub)参数提取 | 第41-42页 |
| 3.3.3 本征参数提取 | 第42-45页 |
| 3.4 小信号模型仿真及分析 | 第45-46页 |
| 3.5 小信号模型可缩放性分析 | 第46-48页 |
| 3.6 考虑非准静态效应的小信号模型 | 第48-53页 |
| 3.7 本章小结 | 第53-54页 |
| 第四章 MOSFET噪声参数提取技术 | 第54-67页 |
| 4.1 二端口噪声网络 | 第54-58页 |
| 4.1.1 阻抗噪声相关矩阵 | 第55-56页 |
| 4.1.2 导纳噪声相关矩阵 | 第56-57页 |
| 4.1.3 ABCD噪声相关矩阵 | 第57-58页 |
| 4.2 噪声矩阵转换技术 | 第58-61页 |
| 4.3 噪声模型参数提取 | 第61-66页 |
| 4.4 本章小结 | 第66-67页 |
| 第五章 噪声模型仿真结果和分析 | 第67-70页 |
| 5.1 噪声源的参数分析 | 第67-68页 |
| 5.2 仿真结果分析 | 第68-69页 |
| 5.3 本章小结 | 第69-70页 |
| 第六章 总结与展望 | 第70-73页 |
| 6.1 总结 | 第70-71页 |
| 6.2 展望 | 第71-73页 |
| 附录 | 第73-74页 |
| 参考文献 | 第74-78页 |
| 致谢 | 第78页 |