| 摘要 | 第4-5页 |
| abstract | 第5页 |
| 第一章 绪论 | 第8-16页 |
| 1.1 功率半导体器件简介 | 第8-9页 |
| 1.2 功率器件LDMOS概述 | 第9-14页 |
| 1.2.1 LDMOS的基本结构 | 第9-10页 |
| 1.2.2 LDMOS的耐压特性 | 第10-11页 |
| 1.2.3 LDMOS的导通特性 | 第11-13页 |
| 1.2.4 LDMOS的优点与应用 | 第13-14页 |
| 1.3 课题研究的意义 | 第14页 |
| 1.4 本文的主要内容与工作 | 第14-15页 |
| 1.5 各章节安排与介绍 | 第15-16页 |
| 第二章 LDMOS漂移区的优化 | 第16-30页 |
| 2.1 高压器件中的横向耐压技术 | 第16-19页 |
| 2.2 RESURF理论 | 第19-20页 |
| 2.3 超结理论 | 第20-28页 |
| 2.3.1 超结理论的发展 | 第20-22页 |
| 2.3.2 超结器件中的电荷非平衡问题 | 第22-25页 |
| 2.3.3 衬底辅助耗尽效应的消除 | 第25-28页 |
| 2.4 槽型LDMOS研究与发展 | 第28-29页 |
| 2.5 本章小结 | 第29-30页 |
| 第三章 槽栅型二维类超结LDMOS研究 | 第30-39页 |
| 3.1 器件结构和工作机理 | 第30-31页 |
| 3.2 器件性能仿真与研究 | 第31-33页 |
| 3.2.1 耐压特性仿真 | 第31-33页 |
| 3.2.2 导通特性仿真 | 第33页 |
| 3.3 器件参数优化设计 | 第33-34页 |
| 3.4 衬底浓度优化 | 第34-35页 |
| 3.5 器件制造工艺 | 第35-38页 |
| 3.5.1 Super-Junction制造工艺 | 第35-37页 |
| 3.5.2 槽栅制造工艺 | 第37页 |
| 3.5.3 器件工艺可行性分析 | 第37-38页 |
| 3.6 本章小结 | 第38-39页 |
| 第四章 槽栅型阶梯掺杂P柱区二维类超结LDMOS研究 | 第39-48页 |
| 4.1 器件结构和工作机理 | 第39-40页 |
| 4.2 器件耐压特性研究 | 第40-42页 |
| 4.2.1 等势线分布 | 第40页 |
| 4.2.2 电场分布图 | 第40-41页 |
| 4.2.3 漂移区长度与击穿电压的关系 | 第41-42页 |
| 4.3 器件开态导通特性研究 | 第42-43页 |
| 4.3.1 I-V特性 | 第42页 |
| 4.3.2 漂移区长度与比导通电阻的关系 | 第42-43页 |
| 4.4 器件参数优化设计 | 第43-46页 |
| 4.4.1 P柱区阶梯数设置 | 第43-44页 |
| 4.4.2 漂移区参数优化 | 第44-46页 |
| 4.5 关键工艺步骤 | 第46-47页 |
| 4.6 本章小结 | 第47-48页 |
| 第五章 槽型二维类超结LDMOS研究 | 第48-60页 |
| 5.1 槽型LDMOS器件机理分析 | 第48-49页 |
| 5.2 器件结构设计 | 第49-50页 |
| 5.3 器件特性仿真 | 第50-52页 |
| 5.3.1 耐压特性仿真 | 第50-52页 |
| 5.3.2 导通特性仿真 | 第52页 |
| 5.4 器件关键参数仿真 | 第52-55页 |
| 5.4.1 漂移区参数设置 | 第52-54页 |
| 5.4.2 槽区参数设置 | 第54-55页 |
| 5.5 器件制造工艺 | 第55-59页 |
| 5.5.1 硅片制备 | 第55-56页 |
| 5.5.2 介质槽刻蚀 | 第56-59页 |
| 5.6 本章小结 | 第59-60页 |
| 第六章 总结与展望 | 第60-63页 |
| 6.1 总结 | 第60-61页 |
| 6.2 展望 | 第61-63页 |
| 参考文献 | 第63-67页 |
| 附录1 攻读硕士学位期间撰写的论文 | 第67-68页 |
| 附录2 攻读硕士学位期间申请的专利 | 第68-69页 |
| 附录3 攻读硕士学位期间参加的科研项目 | 第69-70页 |
| 致谢 | 第70页 |