| 摘要 | 第4-5页 |
| abstract | 第5页 |
| 第一章 绪论 | 第7-12页 |
| 1.1 柔性低电压场效应晶体管存储器的研究背景 | 第7-8页 |
| 1.2 柔性低电压场效应晶体管存储器的研究进展 | 第8-11页 |
| 1.3 本论文关于柔性低电压存储器的工作 | 第11-12页 |
| 第二章 柔性OFET相关背景知识介绍 | 第12-25页 |
| 2.1 柔性低电压OFETs的实现 | 第12页 |
| 2.2 柔性低电压OFETs的衬底 | 第12-15页 |
| 2.2.1 PDMS衬底的制备 | 第13页 |
| 2.2.2 PDMS衬底存在的问题以及改进方法 | 第13-14页 |
| 2.2.3 基于PDMS衬底基础上的OFET的制备及研究 | 第14-15页 |
| 2.3 低电压晶体管中常见的绝缘层 | 第15-20页 |
| 2.3.1 柔性低电压OFET中常见的有机高k绝缘层 | 第16-18页 |
| 2.3.2 组内柔性晶体管的工作基础 | 第18-19页 |
| 2.3.3 本实验中柔性低电压晶体管的设计及其电学性能 | 第19-20页 |
| 2.4 不同晶体管器件性能的对比介绍 | 第20-24页 |
| 2.4.1 不同介电层厚度的器件电学性能 | 第20-22页 |
| 2.4.2 不同绝缘层器件结构的电学性能 | 第22-24页 |
| 2.5 本章小结 | 第24-25页 |
| 第三章 WORM型柔性低电压晶体管存储器 | 第25-36页 |
| 3.1 柔性低电压存储器的实现背景 | 第25-26页 |
| 3.2 浮栅型柔性低电压晶体管存储器 | 第26-32页 |
| 3.2.1 以纳米金为浮栅的柔性低电压晶体管存储器的研究 | 第26页 |
| 3.2.2 纳米金浮栅型柔性低电压晶体管存储器的电学特性 | 第26-27页 |
| 3.2.3 纳米金浮栅型柔性低电压晶体管存储器的存储特性 | 第27-29页 |
| 3.2.4 不同密度下的金纳米粒子的器件存储特性 | 第29-32页 |
| 3.3 半导体小分子作为浮栅层的浮栅型柔性低电压OFET存储器 | 第32-35页 |
| 3.3.1 半导体小分子掺杂在聚合物中作浮栅层的电学特性 | 第32-33页 |
| 3.3.2 半导体小分子掺杂在聚合物中作浮栅层的存储特性 | 第33-34页 |
| 3.3.3 极性有机介电材料制备的柔性低电压OFET存储器 | 第34-35页 |
| 3.5 本章小结 | 第35-36页 |
| 第四章 多组分掺杂型柔性低电压晶体管存储器 | 第36-47页 |
| 4.1 多组分浮栅型柔性低电压OFET存储器实现背景 | 第36-37页 |
| 4.2 多组分浮栅型柔性低电压OFET存储器结构及其制备 | 第37-38页 |
| 4.3 柔性低电压有机场效应晶体管存储器的电学特性 | 第38-40页 |
| 4.4 柔性低电压有机场效应晶体管存储器的存储特性 | 第40-44页 |
| 4.5 器件机械性能稳定性的研究 | 第44-46页 |
| 4.5.1 电学性能的机械稳定性 | 第44-45页 |
| 4.5.2 存储性能的机械稳定性 | 第45-46页 |
| 4.6 本章小结 | 第46-47页 |
| 第五章 总结与展望 | 第47-48页 |
| 参考文献 | 第48-53页 |
| 附录1 攻读硕士学位期间撰写的论文 | 第53-54页 |
| 附录2 攻读硕士学位期间申请的专利 | 第54-55页 |
| 附录3 攻读硕士学位期间参加的科研项目 | 第55-56页 |
| 致谢 | 第56页 |
