| 中文摘要 | 第3-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第10-31页 |
| 1.1 背景 | 第10-11页 |
| 1.2 有机场效应晶体管的基本知识 | 第11-18页 |
| 1.2.1 场效应晶体管的工作原理 | 第11-13页 |
| 1.2.2 伏安特性曲线 | 第13-15页 |
| 1.2.3 电荷传输模型 | 第15-16页 |
| 1.2.4 电极注入 | 第16-17页 |
| 1.2.5 栅极绝缘层作用 | 第17-18页 |
| 1.3 器件性能的影响因素 | 第18-20页 |
| 1.3.1 半导体π共轭系统的影响因素 | 第18-19页 |
| 1.3.2 器件物理影响因素 | 第19-20页 |
| 1.4 有机小分子半导体 | 第20-24页 |
| 1.4.1 p型小分子半导体 | 第21-22页 |
| 1.4.2 n型小分子半导体 | 第22-24页 |
| 1.5 论文的选题思路和意义 | 第24-26页 |
| 参考文献 | 第26-31页 |
| 第二章 有机双极型薄膜场效应晶体管的制备和优化 | 第31-44页 |
| 2.1 影响器件性能的因素 | 第31-34页 |
| 2.1.1 半导体层 | 第31-32页 |
| 2.1.2 有机场效应晶体管中的重要界面 | 第32-34页 |
| 2.2 实验及讨论部分 | 第34-41页 |
| 2.2.1 有机半导体层的优化 | 第35-39页 |
| 2.2.2 有机半导体层与栅极绝缘层界面的优化 | 第39-40页 |
| 2.2.3 电极与有机半导体层界面的优化 | 第40-41页 |
| 2.3 本章小结 | 第41-43页 |
| 参考文献 | 第43-44页 |
| 第三章 初步尝试用溶液法制备有机场效应晶体管 | 第44-59页 |
| 3.1 常用的溶液法制备有机场效应晶体管的方法 | 第44-45页 |
| 3.1.1 滴涂法 | 第44-45页 |
| 3.1.2 旋涂法 | 第45页 |
| 3.2 实验及讨论 | 第45-55页 |
| 3.2.1 滴涂法制备并五苯衍生物场效应晶体管 | 第45-50页 |
| 3.2.2 溶剂交换法制备有机单晶场效应晶体管 | 第50-54页 |
| 3.2.3 密闭容器滴涂法制备有机单晶场效应晶体管 | 第54-55页 |
| 3.3 本章小结 | 第55-57页 |
| 参考文献 | 第57-59页 |
| 第四章 具有高性能的有机双极型反相器的研究 | 第59-76页 |
| 4.1 CMOS反相器的基本介绍 | 第59-62页 |
| 4.1.1 CMOS反相器的基本结构 | 第59-60页 |
| 4.1.2 CMOS反相器的特性曲线 | 第60-62页 |
| 4.2 实验部分 | 第62-63页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第63-71页 |
| 4.3.1 传统的CMOS反相器 | 第63-68页 |
| 4.3.2 双极性反相器 | 第68-71页 |
| 4.4 本章小结 | 第71-73页 |
| 参考文献 | 第73-76页 |
| 第五章 有机光敏场效应晶体管的构筑和研究 | 第76-87页 |
| 5.1 有机光电探测器 | 第76-78页 |
| 5.1.1 光敏有机场效应晶体管 | 第76-77页 |
| 5.1.2 有机半导体异质结 | 第77-78页 |
| 5.2 实验及讨论部分 | 第78-85页 |
| 5.2.1 单层器件 | 第78-80页 |
| 5.2.2 双层器件 | 第80-85页 |
| 5.3 本章小结 | 第85-86页 |
| 参考文献 | 第86-87页 |
| 第六章 总结与展望 | 第87-89页 |
| 在学期间的研究成果 | 第89-90页 |
| 致谢 | 第90-91页 |