基于TFET器件模型的单元特性仿真
| 摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5页 |
| 第1章 绪论 | 第8-13页 |
| 1.1 课题背景及意义 | 第8-10页 |
| 1.2 国内外研究发展现状 | 第10-12页 |
| 1.3 本文的主要研究内容 | 第12-13页 |
| 第2章 TFET器件和测量单元分类 | 第13-26页 |
| 2.1 引言 | 第13页 |
| 2.2 TFET器件与MOSFET器件比较 | 第13-19页 |
| 2.2.1 TFET电学特性 | 第13-16页 |
| 2.2.2 MOSFET电学特性 | 第16-18页 |
| 2.2.3 TFET工艺与传统CMOS工艺 | 第18-19页 |
| 2.3 标准单元 | 第19-21页 |
| 2.4 静态存储器 | 第21-22页 |
| 2.5 仿真参数的定义 | 第22-25页 |
| 2.6 本章小结 | 第25-26页 |
| 第3章 基于TFET器件模型的标准单元仿真 | 第26-43页 |
| 3.1 引言 | 第26页 |
| 3.2 Verilog-A模型分析 | 第26-30页 |
| 3.2.1 硅基TFET模型 | 第26-28页 |
| 3.2.2 异质结化合物TFET模型 | 第28-30页 |
| 3.3 TFET反相器单元特性仿真 | 第30-34页 |
| 3.3.1 TFET反相器设计 | 第30-31页 |
| 3.3.2 TFET反相器本征延时仿真 | 第31-33页 |
| 3.3.3 TFET反相器延时的仿真 | 第33-34页 |
| 3.4 TFET复杂门单元特性仿真 | 第34-42页 |
| 3.4.1 或与非门特性仿真 | 第35-38页 |
| 3.4.2 动态D触发器特性仿真 | 第38-42页 |
| 3.5 本章小节 | 第42-43页 |
| 第4章 基于TFET器件模型的静态存储器仿真 | 第43-55页 |
| 4.1 引言 | 第43页 |
| 4.2 MOSFET6管SRAM | 第43-46页 |
| 4.3 TFET一般结构的SRAM | 第46-49页 |
| 4.3.1 TFET源端内接型SRAM | 第46-48页 |
| 4.3.2 TFET源端外接型SRAM | 第48-49页 |
| 4.4 TFET组合型SRAM | 第49-54页 |
| 4.4.1 读噪声容限仿真方法 | 第50-52页 |
| 4.4.2 写噪声容限仿真方法 | 第52-54页 |
| 4.5 本章小节 | 第54-55页 |
| 结论 | 第55-56页 |
| 参考文献 | 第56-61页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文及其他成果 | 第61-63页 |
| 致谢 | 第63页 |
