| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4页 |
| 第1章 引言 | 第7-23页 |
| 1.1 研究背景 | 第7-11页 |
| 1.2 辐射环境和辐射损伤简介 | 第11-14页 |
| 1.2.1 辐射环境中的粒子 | 第11-12页 |
| 1.2.2 粒子与材料的相互作用 | 第12-14页 |
| 1.3 功率半导体器件简介 | 第14-19页 |
| 1.3.1 功率半导体的发展 | 第14-17页 |
| 1.3.2 功率半导体场效应器件 | 第17-19页 |
| 1.4 课题研究思路及内容安排 | 第19-23页 |
| 1.4.1 课题研究思路及研究方法 | 第19-21页 |
| 1.4.2 论文内容安排 | 第21-23页 |
| 第2章 功率MOSFET器件氧化层中的电离辐射效应 | 第23-51页 |
| 2.1 抗辐射VDMOS总剂量效应实验研究 | 第23-38页 |
| 2.1.1 VDMOS器件及其总剂量效应介绍 | 第23-28页 |
| 2.1.2 抗辐射VDMOS总剂量辐射实验 | 第28-34页 |
| 2.1.3 抗辐射VDMOS总剂量辐射效应 | 第34-38页 |
| 2.2 槽栅MOSFET中的单粒子微剂量效应 | 第38-49页 |
| 2.2.1 槽栅MOSFET器件及单粒子微剂量效应简介 | 第38-39页 |
| 2.2.2 氧化层中单个粒子沉积电荷模型 | 第39-44页 |
| 2.2.3 单粒子在氧化层中沉积电荷模型验证及应用 | 第44-49页 |
| 2.3 本章小结 | 第49-51页 |
| 第3章 VDMOS器件的单粒子烧毁及加固 | 第51-74页 |
| 3.1 VDMOS中的单粒子效应简介 | 第51-56页 |
| 3.1.1 单粒子烧毁 | 第51-55页 |
| 3.1.2 单粒子栅击穿 | 第55-56页 |
| 3.2 单粒子烧毁的仿真 | 第56-67页 |
| 3.2.1 器件电性能仿真 | 第57-62页 |
| 3.2.2 单粒子烧毁仿真 | 第62-67页 |
| 3.3 采用高k栅介质提高VDMOS抗单粒子烧毁能力 | 第67-73页 |
| 3.3.1 抗单粒子烧毁措施 | 第67-68页 |
| 3.3.2 采用高k介质的VDMOS单粒子烧毁效应仿真 | 第68-70页 |
| 3.3.3 采用氮化硅作为高k介质 | 第70-73页 |
| 3.4 本章小结 | 第73-74页 |
| 第4章 GaN HEMT质子辐射效应 | 第74-115页 |
| 4.1 GaN HEMT及其辐射效应介绍 | 第74-82页 |
| 4.1.1 GaN HEMT器件 | 第74-78页 |
| 4.1.2 GaN HEMT的辐射效应 | 第78-82页 |
| 4.2 增强型GaN HEMT的质子辐射实验 | 第82-91页 |
| 4.2.1 加速器应用中的质子辐射环境 | 第82-85页 |
| 4.2.2 实验所用增强型GaN HEMT | 第85-87页 |
| 4.2.3 质子辐射实验系统与实验设计 | 第87-91页 |
| 4.3 增强型GaN HEMT质子辐射效应 | 第91-113页 |
| 4.3.1 器件在电应力下的性能变化 | 第91-94页 |
| 4.3.2 质子辐射引起的破坏性失效 | 第94-100页 |
| 4.3.3 质子辐射引起的电性能退化 | 第100-113页 |
| 4.4 本章小结 | 第113-115页 |
| 第5章 总结与展望 | 第115-117页 |
| 5.1 论文主要工作及创新点 | 第115-116页 |
| 5.2 研究展望 | 第116-117页 |
| 参考文献 | 第117-126页 |
| 致谢 | 第126-128页 |
| 个人简历、在学期间发表的学术论文与研究成果 | 第128-129页 |
