| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 目录 | 第6-8页 |
| 1 绪论 | 第8-14页 |
| 1.1 课题研究背景 | 第8-10页 |
| 1.2 国内外研究现状 | 第10-12页 |
| 1.3 研究思想与研究内容 | 第12-14页 |
| 2 SiC MOS氧化膜击穿机理及TDDB模型 | 第14-25页 |
| 2.1 SiC MOS氧化膜击穿的机理 | 第14-19页 |
| 2.1.1 二氧化硅的结构与性质 | 第14-15页 |
| 2.1.2 二氧化硅膜的击穿 | 第15-17页 |
| 2.1.3 SiC MOS器件的击穿 | 第17-19页 |
| 2.2 栅氧化膜的本征击穿模型 | 第19-24页 |
| 2.2.1 E模型 | 第20-23页 |
| 2.2.2 1/E模型 | 第23页 |
| 2.2.3 统一模型 | 第23-24页 |
| 2.2.4 其他模型 | 第24页 |
| 2.3 本章小结 | 第24-25页 |
| 3 氮钝化SiC MOS电容制作工艺 | 第25-33页 |
| 3.1 衬底的预处理 | 第25-26页 |
| 3.2 氧化工艺设计 | 第26-29页 |
| 3.2.1 SiC热氧化机理 | 第27页 |
| 3.2.2 SiC热氧化速率 | 第27-28页 |
| 3.2.3 氧化工艺设计 | 第28-29页 |
| 3.3 氮等离子体处理工艺 | 第29-30页 |
| 3.3.1 处理装置 | 第29页 |
| 3.3.2 处理条件的讨论 | 第29-30页 |
| 3.4 金属电极制作工艺 | 第30-32页 |
| 3.5 本章小结 | 第32-33页 |
| 4 SiC MOS栅氧化膜可靠性与界面缺陷特性分析 | 第33-58页 |
| 4.1 氧化膜绝缘特性评价 | 第33-39页 |
| 4.1.1 Fowler-Nordheim隧道电流模型 | 第34-36页 |
| 4.1.2 氧化膜Ⅰ-Ⅴ测试与数据分析 | 第36-39页 |
| 4.2 氧化膜可靠性评价 | 第39-51页 |
| 4.2.1 TDDB测试方法 | 第39-42页 |
| 4.2.2 SiC MOS电容SCTDDB测试与数据分析 | 第42-51页 |
| 4.3 SiO_2/SiC界面缺陷特性评价 | 第51-56页 |
| 4.3.1 SiO_2/SiC界面测试方法 | 第51-53页 |
| 4.3.2 XPS测试与数据分析 | 第53-56页 |
| 4.4 本章小结 | 第56-58页 |
| 结论 | 第58-59页 |
| 参考文献 | 第59-63页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第63-64页 |
| 致谢 | 第64-65页 |
