多胞MOSFET器件小信号模型参数提取和灵敏度分析
| 摘要 | 第6-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 英文名词缩写 | 第9-14页 |
| 第一章 绪论 | 第14-24页 |
| 1.1 引言 | 第14-16页 |
| 1.2 国内外研究现状 | 第16-18页 |
| 1.3 MOSFET模型发展趋势 | 第18-19页 |
| 1.4 射频器件建模流程 | 第19-22页 |
| 1.5 论文的主要内容和创新工作 | 第22-24页 |
| 第二章 MOSFET器件小信号模型与测量技术 | 第24-34页 |
| 2.1 MOSFET器件的物理结构 | 第24-25页 |
| 2.2 MOSFET器件的测试 | 第25-29页 |
| 2.3 去嵌过程 | 第29-34页 |
| 2.3.1 并联去嵌 | 第30-32页 |
| 2.3.2 串联去嵌 | 第32-34页 |
| 第三章 MOSFET小信号建模方法与参数提取 | 第34-62页 |
| 3.1 去嵌过程以及开路和短路模型 | 第34-48页 |
| 3.1.1 开路模型参数提取 | 第34-36页 |
| 3.1.2 传统短路模型参数提取 | 第36-38页 |
| 3.1.3 创新型短路模型的提出和参数提取 | 第38-46页 |
| 3.1.4 新的去嵌方法的提出 | 第46-48页 |
| 3.2 器件小信号模型参数的半分析法提取 | 第48-53页 |
| 3.3 本征元件随偏置变化规律 | 第53-55页 |
| 3.4 MOSFET小信号多胞模型参数提取 | 第55-62页 |
| 第四章 元件灵敏度分析 | 第62-72页 |
| 4.1 本征元件灵敏度提取 | 第62-63页 |
| 4.2 蒙特卡洛方法 | 第63-72页 |
| 第五章 总结与展望 | 第72-74页 |
| 5.1 总结 | 第72-73页 |
| 5.2 工作展望 | 第73-74页 |
| 攻读硕士期间发表论文 | 第74-75页 |
| 参考文献 | 第75-79页 |
| 致谢 | 第79页 |
