| 摘要 | 第6-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第11-17页 |
| 1.1 研究背景及意义 | 第11-12页 |
| 1.2 功率MOSFET的国内外研究现状 | 第12-16页 |
| 1.3 本文的主要工作 | 第16-17页 |
| 第二章 功率VDMOSFET终端结构的击穿机制 | 第17-25页 |
| 2.1 功率VDMOSFET终端的击穿原理 | 第17-20页 |
| 2.1.1 临界电场强度 | 第17-18页 |
| 2.1.2 碰撞电离率 | 第18-19页 |
| 2.1.3 雪崩倍增击穿 | 第19-20页 |
| 2.2 PN结击穿理论分析 | 第20-24页 |
| 2.2.1 无限大平面结的对称解及击穿 | 第20-21页 |
| 2.2.2 突变柱状结的对称解及击穿 | 第21-24页 |
| 2.3 本章小结 | 第24-25页 |
| 第三章 功率VDMOSFET终端技术研究与设计 | 第25-51页 |
| 3.1 VDMOSFET终端结构的工艺模拟与设计制程 | 第25-28页 |
| 3.2 几种传统的终端技术 | 第28-45页 |
| 3.2.1 横向变掺杂终端技术 | 第28-29页 |
| 3.2.2 终端场限环技术 | 第29-39页 |
| 3.2.3 终端场板技术 | 第39-45页 |
| 3.3 一种高压功率器件场板技术改进方法与设计 | 第45-50页 |
| 3.3.1 传统金属-多晶硅复合场板结构 | 第45-46页 |
| 3.3.2 改进后的金属-多晶硅复合场板结构 | 第46-48页 |
| 3.3.3 基于改进后场板技术的VDMOSFET终端性能验证 | 第48-50页 |
| 3.4 本章小结 | 第50-51页 |
| 第四章 700V VDMOSFET终端结构设计 | 第51-59页 |
| 4.1 700V VDMOSFET外延层参数设计 | 第51-54页 |
| 4.2 700V VDMOSFET终端结构的设计与优化 | 第54-58页 |
| 4.2.1 700V VDMOSFET终端场限环参数设计优化 | 第54页 |
| 4.2.2 700V VDMOSFET终端场板参数设计优化 | 第54-55页 |
| 4.2.3 700V VDMOSFET终端结构仿真结果与分析 | 第55-58页 |
| 4.3 本章小结 | 第58-59页 |
| 结论与未来的工作 | 第59-61页 |
| 附录 | 第61-74页 |
| 致谢 | 第74-75页 |
| 参考文献 | 第75-80页 |
| 攻读硕士期间发表的论文 | 第80页 |
