| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-9页 |
| 第1章 绪论 | 第12-57页 |
| 1.1 引言 | 第12-13页 |
| 1.2 纳米光子学的研究内容及应用 | 第13-20页 |
| 1.3 半导体量子点及其在光电子器件中的应用 | 第20-24页 |
| 1.3.1 半导体量子点的制备方法 | 第21-22页 |
| 1.3.2 半导体量子点在光电子器件中的应用 | 第22-24页 |
| 1.4 有机场效应晶体管 | 第24-32页 |
| 1.4.1 有机场效应晶体管的结构类型 | 第25-27页 |
| 1.4.2 有机场效应晶体管的工作原理 | 第27-28页 |
| 1.4.3 有机场效应晶体管性能的影响因素 | 第28-32页 |
| 1.5 FET结构的纳米薄膜光电探测器 | 第32-42页 |
| 1.5.1 FET结构的纳米薄膜光电探测器的工作原理 | 第34页 |
| 1.5.2 FET结构的纳米薄膜光电探测器的有源层材料 | 第34-37页 |
| 1.5.3 FET结构的纳米薄膜光电探测器的制备方法 | 第37-41页 |
| 1.5.4 FET结构的纳米薄膜光电探测器的表征参数 | 第41-42页 |
| 1.6 本课题的研究目的和内容 | 第42-45页 |
| 参考文献 | 第45-57页 |
| 第2章 水平FET结构的并五苯纳米薄膜光电探测器 | 第57-77页 |
| 2.1 引言 | 第57-58页 |
| 2.2 实验部分 | 第58-61页 |
| 2.2.1 实验药品与材料 | 第58页 |
| 2.2.2 水平FET结构的并五苯光电探测器的制备 | 第58-60页 |
| 2.2.3 实验仪器及测试方法 | 第60-61页 |
| 2.3 结果与讨论 | 第61-73页 |
| 2.3.1 水平FET结构的并五苯光电探测器的电学性能 | 第61-64页 |
| 2.3.2 水平FET结构的并五苯光电探测器的探测性能 | 第64-73页 |
| 2.4 本章小结 | 第73-74页 |
| 参考文献 | 第74-77页 |
| 第3章 垂直FET结构的低电压并五苯纳米薄膜光电探测器 | 第77-90页 |
| 3.1 引言 | 第77-78页 |
| 3.2 实验部分 | 第78-80页 |
| 3.2.1 实验药品与材料 | 第78页 |
| 3.2.2 垂直FET结构的低电压并五苯光电探测器的制备 | 第78-80页 |
| 3.2.3 水平FET结构的并五苯光电探测器的制备 | 第80页 |
| 3.2.4 实验仪器及测试方法 | 第80页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第80-86页 |
| 3.3.1 垂直FET结构的低电压并五苯光电探测器的电学性能 | 第80-83页 |
| 3.3.2 垂直FET结构的低电压并五苯光电探测器的探测性能 | 第83-86页 |
| 3.4 本章小结 | 第86-87页 |
| 参考文献 | 第87-90页 |
| 第4章 水平FET结构的P3HT:Pb S纳米复合薄膜红外光电探测器 | 第90-113页 |
| 4.1 引言 | 第90-91页 |
| 4.2 实验部分 | 第91-96页 |
| 4.2.1 实验药品、材料与器皿 | 第91-92页 |
| 4.2.2 PbS量子点的制备 | 第92-93页 |
| 4.2.3 水平FET结构的P3HT:PbS量子点纳米复合薄膜红外光电探测器的制备 | 第93-95页 |
| 4.2.4 实验仪器及测试方法 | 第95-96页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第96-107页 |
| 4.3.1 PbS量子点的表征 | 第96-97页 |
| 4.3.2 水平FET结构的P3HT:PbS量子点纳米复合薄膜红外光电探测器的电学性能 | 第97-100页 |
| 4.3.3 水平FET结构的P3HT:PbS量子点纳米复合薄膜红外光电探测器的探测性能 | 第100-107页 |
| 4.4 本章小结 | 第107-109页 |
| 参考文献 | 第109-113页 |
| 第5章 结论与展望 | 第113-116页 |
| 5.1 结论 | 第113-114页 |
| 5.2 展望 | 第114-116页 |
| 攻读学位期间发表论文与研究成果清单 | 第116-118页 |
| 致谢 | 第118-119页 |
| 作者简介 | 第119页 |
