| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4-5页 |
| 第一章 绪论 | 第8-14页 |
| 1.1 研究背景与意义 | 第8-9页 |
| 1.2 GaAs PHEMT器件发展历程 | 第9-11页 |
| 1.3 国内外研究现状 | 第11-12页 |
| 1.4 论文的主要内容和章节安排 | 第12-14页 |
| 第二章 GaAs PHEMT器件结构及工作原理 | 第14-23页 |
| 2.1 TCAD软件的简单介绍 | 第14-18页 |
| 2.2 GaAs PHEMT器件结构及工艺仿真 | 第18-21页 |
| 2.3 GaAs PHEMT基本工作原理 | 第21-22页 |
| 2.4 本章小结 | 第22-23页 |
| 第三章 GaAs PHEMT材料结构与2DEG浓度的关系 | 第23-36页 |
| 3.1 二维电子气 | 第23-29页 |
| 3.1.1 2DEG的形成 | 第23-24页 |
| 3.1.2 2DEG的求解 | 第24-28页 |
| 3.1.3 2DEG的仿真 | 第28-29页 |
| 3.2 平面掺杂浓度对2DEG的影响 | 第29-30页 |
| 3.3 势垒层厚度对2DEG的影响 | 第30-31页 |
| 3.4 Al含量对2DEG的影响 | 第31-32页 |
| 3.5 In含量对2DEG的影响 | 第32-33页 |
| 3.6 Spacer层厚度对2DEG的影响 | 第33-34页 |
| 3.7 本章小结 | 第34-36页 |
| 第四章 GaAs PHEMT的器件仿真及分析 | 第36-61页 |
| 4.1 PHEMT的I-V特性理论分析 | 第36-37页 |
| 4.2 PHEMT直流特性器件仿真 | 第37-50页 |
| 4.2.1 直流I-V特性数值仿真 | 第37-42页 |
| 4.2.2 材料结构参数对直流I-V特性的影响 | 第42-50页 |
| 4.3 阈值电压V_(th) | 第50-55页 |
| 4.3.1 阈值电压的理论分析 | 第50-51页 |
| 4.3.2 阈值电压的数值仿真 | 第51-55页 |
| 4.4 迁移率μ | 第55-60页 |
| 4.4.1 迁移率的理论分析 | 第55-56页 |
| 4.4.2 迁移率的数值仿真 | 第56-60页 |
| 4.5 本章小结 | 第60-61页 |
| 第五章 总结与展望 | 第61-63页 |
| 5.1 全文总结 | 第61-62页 |
| 5.2 后期工作展望 | 第62-63页 |
| 参考文献 | 第63-68页 |
| 致谢 | 第68页 |