| 摘要 | 第4-5页 |
| abstract | 第5-6页 |
| 专用术语注释表 | 第9-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-21页 |
| 1.1 半导体存储器简介 | 第10页 |
| 1.2 有机场效应晶体管存储器的基本介绍 | 第10-14页 |
| 1.2.1 有机场效应晶体管存储器的结构和种类 | 第10-12页 |
| 1.2.2 有机场效应晶体管存储器的工作原理 | 第12页 |
| 1.2.3 有机场效应晶体管存储器的参数 | 第12-13页 |
| 1.2.4 有机场效应晶体管存储器的制备及表征 | 第13-14页 |
| 1.3 本论文研究意义和主要工作 | 第14-21页 |
| 1.3.1 有机场效应晶体管存储器的发展现状及存在问题 | 第14-15页 |
| 1.3.2 基于不同电荷存储层材料有机场效应晶体管存储器 | 第15-20页 |
| 1.3.3 基于溶液加工宽带隙半导体有机场效应晶体管存储器 | 第20-21页 |
| 第二章 风车格子对器件存储性能影响的研究 | 第21-37页 |
| 2.1 研究背景 | 第21页 |
| 2.2 宽带隙半导体风车格子的制备 | 第21-22页 |
| 2.3 单体（无孔结构）作为电荷存储层的OFET存储器件 | 第22-24页 |
| 2.3.1 单体作为电荷存储层的OFET存储器件的制备 | 第22页 |
| 2.3.2 单体作为电荷存储层的OFET存储器件的电学性能 | 第22-23页 |
| 2.3.3 单体作为电荷存储层的OFET存储器件的存储性能 | 第23-24页 |
| 2.4 WG_3（有孔结构）作为电荷存储层的OFET存储器件 | 第24-29页 |
| 2.4.1 WG_3作为电荷存储层的OFET存储器件的制备 | 第24-25页 |
| 2.4.2 WG_3作为电荷存储层的OFET存储器件的电学性能 | 第25-26页 |
| 2.4.3 WG_3作为电荷存储层的OFET存储器件的存储性能 | 第26-29页 |
| 2.4.4 实验小结 | 第29页 |
| 2.5 风车格子的孔径对OFET存储器件性能影响的研究 | 第29-36页 |
| 2.5.1 WG_4、WG_5分别作为电荷存储层的OFET存储器件的制备 | 第29-30页 |
| 2.5.2 WG_4、WG_5分别作为电荷存储层的OFET存储器件的电学性能 | 第30-31页 |
| 2.5.3 WG_4、WG_5分别作为电荷存储层的OFET存储器件的存储性能 | 第31-36页 |
| 2.6 本章小结 | 第36-37页 |
| 第三章 纳米柱阵列对器件存储性能影响的研究 | 第37-53页 |
| 3.1 研究背景 | 第37-38页 |
| 3.2 纳米柱阵列制备及表征 | 第38-40页 |
| 3.2.1 纳米柱阵列制备及形成原理 | 第38-39页 |
| 3.2.2 纳米柱形貌及成分表征 | 第39-40页 |
| 3.2.3 实验小结 | 第40页 |
| 3.3 基于纳米柱阵列作为电荷存储层的OFET存储器件制备及表征 | 第40-46页 |
| 3.3.1 纳米柱作为电荷存储层的OFET存储器制备 | 第40-41页 |
| 3.3.2 纳米柱作为电荷存储层的OFET存储器的电学性能 | 第41-42页 |
| 3.3.3 纳米柱作为电荷存储层的OFET存储器的存储性能 | 第42-46页 |
| 3.4 基于纳米柱作为电荷存储层的OFET存储器存储机理 | 第46-47页 |
| 3.5 定量的研究接触面积对存储窗口的影响 | 第47-52页 |
| 3.5.1 不同接触面积纳米柱薄膜的制备及表征 | 第47-49页 |
| 3.5.2 不同接触面积纳米柱的OFET存储器件的电学性能 | 第49-50页 |
| 3.5.3 通过Matlab仿真定量分析接触面积与存储窗口的关系 | 第50-52页 |
| 3.6 本章小结 | 第52-53页 |
| 第四章 异质结效应对器件存储性能影响的研究 | 第53-68页 |
| 4.1 研究背景 | 第53页 |
| 4.2 P_(13)/Pentacene形成累积型异质结验证 | 第53-55页 |
| 4.2.1 WG_3作为电荷存储层的单层和双层OFET存储器件的制备 | 第53-54页 |
| 4.2.2 WG_3作为电荷存储层的单层和双层OFET存储器件的电学性能 | 第54-55页 |
| 4.3 基于P_(13)/Pentacene异质结OFET存储器件 | 第55-56页 |
| 4.3.1 基于P_(13)/Pentacene异质结OFET存储器件的制备 | 第55-56页 |
| 4.3.2 基于P_(13)/Pentacene异质结OFET存储器件的电学性能 | 第56页 |
| 4.4 基于Pentacene/P_(13)异质结OFET存储器件 | 第56-61页 |
| 4.4.1 基于Pentacene/P_(13)异质结OFET存储器件的制备 | 第56-57页 |
| 4.4.2 基于Pentacene/P_(13)异质结OFET存储器件的电学性能 | 第57-58页 |
| 4.4.3 基于Pentacene/P_(13)异质结OFET存储器件的存储性能 | 第58-61页 |
| 4.4.4 实验小结 | 第61页 |
| 4.5 厚度效应对OFET存储器件性能影响的研究 | 第61-67页 |
| 4.5.1 基于不同厚度P_(13)异质结OFET存储器件的制备 | 第61-62页 |
| 4.5.2 基于不同厚度P_(13)异质结OFET存储器件的电学性能 | 第62-64页 |
| 4.5.3 基于不同厚度P_(13)异质结OFET存储器件的存储性能 | 第64-67页 |
| 4.6 本章小结 | 第67-68页 |
| 第五章 总结与展望 | 第68-69页 |
| 参考文献 | 第69-73页 |
| 附录1 攻读硕士学位期间撰写的论文 | 第73-74页 |
| 附录2 攻读硕士学位期间申请的专利 | 第74-75页 |
| 附录3 攻读硕士学位期间参加的科研项目 | 第75-76页 |
| 致谢 | 第76页 |
