| 摘要 | 第3-4页 |
| ABSTRACT | 第4-5页 |
| 1 绪论 | 第8-26页 |
| 1.1 GeSn场效应晶体管研究背景 | 第8-12页 |
| 1.2 GeSn场效应晶体管国内外研究现状 | 第12-25页 |
| 1.2.1 GeSn合金的研究进展 | 第12-16页 |
| 1.2.2 GeSn MOSFET和TFET的研究进展 | 第16-25页 |
| 1.3 GeSn场效应晶体管的研究目的及研究内容 | 第25-26页 |
| 1.3.1 研究目的 | 第25页 |
| 1.3.2 研究内容 | 第25-26页 |
| 2 GeSn场效应晶体管软件仿真 | 第26-42页 |
| 2.1 Sentaurus TCAD仿真工具介绍 | 第26-27页 |
| 2.2 Sentaurus TCAD关键模块介绍 | 第27-40页 |
| 2.2.0 Sentaurus Workbench模块介绍 | 第28-29页 |
| 2.2.1 Sentaurus Process模块介绍 | 第29-33页 |
| 2.2.2 Sentaurus Structure Editor模块介绍 | 第33-34页 |
| 2.2.3 Mesh and Noffset3D模块介绍 | 第34页 |
| 2.2.4 Sentaurus Device模块介绍 | 第34-39页 |
| 2.2.5 Tecplot SV模块介绍 | 第39页 |
| 2.2.6 Inspect模块介绍 | 第39-40页 |
| 2.3 本章小结 | 第40-42页 |
| 3 GeSn金属氧化物半导体场效应晶体管设计与制备及性能表征 | 第42-64页 |
| 3.1 GeSn pMOSFET的工作原理 | 第42-46页 |
| 3.2 无掺杂Ge_(0.92)Sn_(0.08)量子阱沟道pMOSFET器件制备与材料表征 | 第46-50页 |
| 3.3 无掺杂Ge_(0.92)Sn_(0.08)量子阱沟道pMOSFET的量子限制效应及应变研究 | 第50-53页 |
| 3.4 衬底晶面取向对无掺杂Ge_(0.92)Sn_(0.08)量子阱沟道pMOSFET电学性能影响 | 第53-62页 |
| 3.5 本章小结 | 第62-64页 |
| 4 GeSn隧穿场效应晶体管设计制备及性能表征 | 第64-78页 |
| 4.1 GeSn TFET的工作原理 | 第67-69页 |
| 4.2 Si衬底弛豫Ge_(0.97)Sn_(0.03) pTFET器件制备与材料表征 | 第69-71页 |
| 4.3 Si衬底弛豫Ge_(0.97)Sn_(0.03) pTFET电学性能表征 | 第71-76页 |
| 4.3.1 探究温度对Si衬底弛豫Ge_(0.97)Sn_(0.03) pTFET电学性能的影响 | 第72-73页 |
| 4.3.2 探究应变对Si衬底弛豫Ge_(0.97)Sn_(0.03) pTFET电学性能的影响 | 第73-76页 |
| 4.4 本章小结 | 第76-78页 |
| 5 新型异质结GeSn隧穿场效应晶体管的模拟研究 | 第78-88页 |
| 5.1 GeSn HE-NTFET器件结构及仿真方法 | 第78-80页 |
| 5.2 GeSn HE-NTFET电学性能分析 | 第80-86页 |
| 5.2.1 探究LT-H对Ge_(0.92)Sn_(0.08)/Ge_(0.94)Sn_(0.06 )HE-NTFETs电学性质的影响 | 第80-83页 |
| 5.2.2 异质结对BTBT的调节作用 | 第83-85页 |
| 5.2.3 Sn组分对器件电学性能的影响 | 第85-86页 |
| 5.3 本章小结 | 第86-88页 |
| 6 结论及展望 | 第88-90页 |
| 6.1 主要结论 | 第88页 |
| 6.2 后续研究工作展望 | 第88-90页 |
| 致谢 | 第90-92页 |
| 参考文献 | 第92-104页 |
| 附录 | 第104-110页 |
| A 作者在攻读硕士学位期间发表的论文 | 第104-105页 |
| B 作者在学习期间申请的发明专利 | 第105页 |
| C 作者在攻读硕士学位期间的得奖情况 | 第105页 |
| D Ge_(1-x)Sn_x/Ge_(1-y)Sn_y HE-NTFET的仿真程序 | 第105-110页 |
