| 摘要 | 第4-5页 |
| abstract | 第5-6页 |
| 专用术语注释表 | 第8-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-20页 |
| 1.1 引言 | 第10页 |
| 1.2 新型碳基材料 | 第10-16页 |
| 1.2.1 石墨烯及石墨烯纳米条带 | 第11-14页 |
| 1.2.2 碳纳米管 | 第14-16页 |
| 1.3 碳基场效应管及其构建电路研究现状 | 第16-18页 |
| 1.4 论文的主要工作和创新 | 第18页 |
| 1.5 本论文结构 | 第18-20页 |
| 第二章 量子输运理论及计算模型 | 第20-27页 |
| 2.1 Landauer - Büttiker方程 | 第20-21页 |
| 2.2 非平衡格林函数 | 第21-24页 |
| 2.3 Dyson方程和运动方程 | 第24页 |
| 2.4 场效应晶体管的电学特性计算模型 | 第24-26页 |
| 2.5 本章小结 | 第26-27页 |
| 第三章 n-i-n型石墨烯纳米条带场效应晶体管的电学输运特性 | 第27-33页 |
| 3.1 引言 | 第27页 |
| 3.2 源漏轻掺杂异质栅GNRFETs输运特性的研究 | 第27-32页 |
| 3.3 本章小结 | 第32-33页 |
| 第四章 n-i-n型碳纳米管场效应晶体管的电学输运特性研究 | 第33-40页 |
| 4.1 引言 | 第33页 |
| 4.2 源漏轻掺杂异质栅异质氧化层CNTFETs电学特性的研究 | 第33-37页 |
| 4.3 器件尺寸缩小特性 | 第37-39页 |
| 4.4 本章小结 | 第39-40页 |
| 第五章 基于新型碳基纳米场效应管的电路特性研究 | 第40-55页 |
| 5.1 引言 | 第40页 |
| 5.2 GNRFET的电路特性研究 | 第40-46页 |
| 5.2.1 GNRFET的查找表模型 | 第40-42页 |
| 5.2.2 GNRFET构建的反相器电路 | 第42-44页 |
| 5.2.3 GNRFER构建的 6T存储器电路 | 第44-46页 |
| 5.3 CNTFET的电路特性研究 | 第46-54页 |
| 5.3.1 CNTFET的查找表模型 | 第46-47页 |
| 5.3.2 CNTFET构建的反相器电路 | 第47-48页 |
| 5.3.3 CNTFET构建的与非门电路 | 第48页 |
| 5.3.4 CNTFET构建的D触发电路 | 第48-50页 |
| 5.3.5 CNTFET构建的 6T存储器电路 | 第50-52页 |
| 5.3.6 CNTFET构建的 10T存储器电路 | 第52-54页 |
| 5.4 本章小结 | 第54-55页 |
| 第六章 总结与展望 | 第55-57页 |
| 参考文献 | 第57-60页 |
| 附录1 攻读硕士学位期间撰写的论文 | 第60-61页 |
| 附录2 攻读硕士学位期间参加的科研项目 | 第61-62页 |
| 致谢 | 第62-63页 |
