面向双栅场效应管的开关—信号理论及其应用
| 摘要 | 第4-6页 |
| abstract | 第6-7页 |
| 引言 | 第10-12页 |
| 1 绪论 | 第12-17页 |
| 1.1 集成电路发展遇到的问题 | 第12-13页 |
| 1.2 发展双栅场效应管的可行性 | 第13-14页 |
| 1.3 国内外的研究现状 | 第14-15页 |
| 1.4 论文内容与结构 | 第15-17页 |
| 2 元件模型与开关—信号理论 | 第17-24页 |
| 2.1 双栅场效应管的模型 | 第17-19页 |
| 2.1.1 双栅碳纳米场效应管 | 第17-18页 |
| 2.1.2 FinFET结构的场效应管 | 第18-19页 |
| 2.2 开关-信号理论的起源与发展 | 第19-23页 |
| 2.2.1 传统开关-信号理论的起源 | 第19-22页 |
| 2.2.2 开关-信号理论指导下的电路结构 | 第22-23页 |
| 2.3 本章小结 | 第23-24页 |
| 3 面向双栅场效应管的开关-信号设计方法 | 第24-32页 |
| 3.1 理论来源 | 第24页 |
| 3.2 基本思想 | 第24-25页 |
| 3.3 表达式变换及证明 | 第25-27页 |
| 3.4 电路设计流程 | 第27-29页 |
| 3.5 开关级表达式与物理模型之间的转换 | 第29-31页 |
| 3.6 本章小结 | 第31-32页 |
| 4 双栅开关-信号设计方法的应用实战 | 第32-42页 |
| 4.1 理论基础 | 第32页 |
| 4.2 全加器 | 第32-37页 |
| 4.2.1 电路实现 | 第32-34页 |
| 4.2.2 仿真结果与数据分析 | 第34-37页 |
| 4.3 D触发器 | 第37-41页 |
| 4.3.1 电路的实现 | 第37-38页 |
| 4.3.2 仿真结果与数据分析 | 第38-41页 |
| 4.4 本章小结 | 第41-42页 |
| 5 双栅场效应管在三值电路中的应用 | 第42-52页 |
| 5.1 理论基础 | 第42-46页 |
| 5.2 基于双栅场效应管的二值到三值编码电路设计 | 第46-49页 |
| 5.3 仿真结果与数据分析 | 第49-51页 |
| 5.4 本章小结 | 第51-52页 |
| 6 总结与展望 | 第52-55页 |
| 6.1 工作总结 | 第52-53页 |
| 6.2 研究工作的局限性及工作展望 | 第53-55页 |
| 参考文献 | 第55-58页 |
| 在学研究成果 | 第58-59页 |
| 致谢 | 第59页 |
