| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6页 |
| 第1章 绪论 | 第9-18页 |
| 1.1 CMOS技术的发展 | 第9-11页 |
| 1.2 MOSFET的发展 | 第11-12页 |
| 1.3 模型的发展 | 第12-16页 |
| 1.3.1 MOSFET模型发展及研究现状 | 第13-14页 |
| 1.3.2 课题研究的目的和意义 | 第14-16页 |
| 1.4 论文的内容和结构 | 第16-18页 |
| 第2章D-Gate SOI MOSFET器件及模型概述 | 第18-24页 |
| 2.1 D-Gate SOI MOSFET | 第18-21页 |
| 2.1.1 多栅器件结构的介绍 | 第18-19页 |
| 2.1.2 双栅器件工作原理 | 第19-20页 |
| 2.1.3 双栅MOSFET的特性 | 第20-21页 |
| 2.2 BSIM-IMG模型介绍 | 第21-22页 |
| 2.3 本章小结 | 第22-24页 |
| 第3章 表面势方程和BSIM IMG建模 | 第24-38页 |
| 3.1 表面势方程推导 | 第24-25页 |
| 3.2 基于BSIM IMG的建模 | 第25-37页 |
| 3.2.1 表面势计算 | 第26-29页 |
| 3.2.2 漏极电流模型 | 第29-32页 |
| 3.2.3 C-V模型 | 第32-34页 |
| 3.2.4 自热模型 | 第34-35页 |
| 3.2.5 横向非均匀掺杂模型 | 第35页 |
| 3.2.6 噪声模型 | 第35-37页 |
| 3.3 本章小结 | 第37-38页 |
| 第4章 基于BSIM IMG的D-Gate SOI MOSFET模型的直流提取 | 第38-61页 |
| 4.1 D-Gate SOI MOSFET测试环境和方案 | 第38-41页 |
| 4.1.1 测试环境 | 第38-39页 |
| 4.1.2 测试方案 | 第39-41页 |
| 4.2 直流特性参数提取 | 第41-48页 |
| 4.2.1 BSIM IMG部分参数 | 第41-43页 |
| 4.2.2 长沟道器件参数的提取 | 第43-45页 |
| 4.2.3 短沟道效应和长度缩放参数的提取 | 第45-46页 |
| 4.2.4 提取窄沟道效应和宽度缩放参数 | 第46-47页 |
| 4.2.5 其他效应的参数提取 | 第47-48页 |
| 4.3 模型验证 | 第48-61页 |
| 4.3.1 idvd和idvg的拟合情况 | 第48-53页 |
| 4.3.2 误差分析 | 第53-61页 |
| 第5章 基于BSIM SOI、PSP SOI、BSIM IMG建模分析 | 第61-71页 |
| 5.1 SOI MOSFET | 第61-65页 |
| 5.1.1 PD SOI MOSFET | 第61-62页 |
| 5.1.2 FD SOI MOSFET | 第62-63页 |
| 5.1.3 浮体效应 | 第63-65页 |
| 5.2 RF参数提取分析 | 第65-70页 |
| 5.2.1 C-V参数抽取 | 第66-67页 |
| 5.2.2 I-V参数抽取 | 第67-68页 |
| 5.2.3 S参数拟合情况 | 第68-70页 |
| 5.3 本章小结 | 第70-71页 |
| 第6章 总结和展望 | 第71-72页 |
| 6.1 总结 | 第71页 |
| 6.2 展望 | 第71-72页 |
| 致谢 | 第72-73页 |
| 参考文献 | 第73-76页 |
| 附录 | 第76页 |
