| 摘要 | 第4-5页 |
| abstract | 第5页 |
| 专用术语注释表 | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-12页 |
| 1.1 引言 | 第8-10页 |
| 1.1.1 有机电子学 | 第8-9页 |
| 1.1.2 有机半导体存储器 | 第9-10页 |
| 1.2 本论文的研究背景和研究内容 | 第10-12页 |
| 第二章 有机场效应晶体管存储器 | 第12-27页 |
| 2.1 有机场效应晶体管存储器基本介绍 | 第12-24页 |
| 2.1.1 有机场效应晶体管存储器基本结构和参数 | 第12-14页 |
| 2.1.2 有机场效应晶体管存储器分类及发展现状 | 第14-23页 |
| 2.1.3 有机场效应晶体管存储器的材料 | 第23-24页 |
| 2.2 浮栅型有机场效应晶体管存储器的制备 | 第24-26页 |
| 2.2.1 基底制备 | 第24页 |
| 2.2.2 旋涂及蒸镀 | 第24-25页 |
| 2.2.3 器件测试和表征 | 第25-26页 |
| 2.3 本章小结 | 第26-27页 |
| 第三章 基于CsPbBr_3量子点浮栅型有机场效应晶体管存储器 | 第27-34页 |
| 3.1 引言 | 第27页 |
| 3.2 基于CsPbBr_3量子点浮栅型有机场效应晶体管存储器器件结构比较 | 第27-32页 |
| 3.2.1 器件制备与表征 | 第27-29页 |
| 3.2.2 场效应晶体管特性及存储特性研究 | 第29-32页 |
| 3.3 本章小结 | 第32-34页 |
| 第四章 基于不同CsPbBr_3量子点形貌的浮栅型有机场效应晶体管存储器 | 第34-48页 |
| 4.1 引言 | 第34页 |
| 4.2 基于CsPbBr_3量子点浮栅型有机场效应晶体管存储器器件结构比较 | 第34-46页 |
| 4.2.1 器件制备与表征 | 第34-35页 |
| 4.2.2 器件存储特性表征 | 第35-45页 |
| 4.2.3 器件存储机理 | 第45-46页 |
| 4.3 本章小结 | 第46-48页 |
| 第五章 基于AuNPs阵列的浮栅型有机场效应晶体管存储器研究 | 第48-56页 |
| 5.1 引言 | 第48-49页 |
| 5.2 基于AuNPs阵列的浮栅型有机场效应晶体管存储器存储特性研究 | 第49-55页 |
| 5.2.1 器件制备 | 第49-50页 |
| 5.2.2 器件存储特性表征 | 第50-55页 |
| 5.3 本章小结 | 第55-56页 |
| 第六章 总结与展望 | 第56-57页 |
| 参考文献 | 第57-61页 |
| 附录1 攻读硕士学位期间撰写的论文 | 第61-62页 |
| 附录2 攻读硕士学位期间申请的专利 | 第62-63页 |
| 致谢 | 第63页 |
