| 摘要 | 第3-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第10-28页 |
| 1.1 引言：摩尔定律的困境 | 第10-12页 |
| 1.2 场效应晶体管 | 第12-13页 |
| 1.3 短沟道效应 | 第13-19页 |
| 1.4 二维材料——新的机遇 | 第19-20页 |
| 1.5 二硫化钼对短沟道效应的免疫力 | 第20-26页 |
| 1.6 本论文章节结构及内容展开 | 第26-28页 |
| 第二章 本论文所涉及到的实验仪器及加工工艺 | 第28-48页 |
| 2.1 引言 | 第28页 |
| 2.2 样品形貌表征手段 | 第28-32页 |
| 2.2.1 光学显微镜 | 第28-29页 |
| 2.2.2 原子力显微镜 | 第29-31页 |
| 2.2.3 扫描电子显微镜 | 第31-32页 |
| 2.3 样品光谱表征手段——拉曼光谱仪 | 第32-33页 |
| 2.4 样品制备 | 第33-38页 |
| 2.4.1 机械剥离法制备二维材料 | 第33-34页 |
| 2.4.2 氢等离子体刻蚀扩宽石墨烯晶界 | 第34-36页 |
| 2.4.3 二维异质结的转移 | 第36-38页 |
| 2.5 器件制作所涉及的微加工技术 | 第38-46页 |
| 2.5.1 涂胶和烘烤 | 第38-40页 |
| 2.5.2 电子束曝光 | 第40-42页 |
| 2.5.3 显影定影 | 第42-43页 |
| 2.5.4 反应离子束刻蚀 | 第43-44页 |
| 2.5.5 金属电极沉积 | 第44-45页 |
| 2.5.6 溶脱剥离 | 第45-46页 |
| 2.5.7 退火 | 第46页 |
| 2.6 器件电学测量 | 第46-48页 |
| 第三章 一种简单高效的二维材料转移方法 | 第48-58页 |
| 3.1 引言 | 第48页 |
| 3.2 转移过程 | 第48-50页 |
| 3.3 转移样品质量表征 | 第50-51页 |
| 3.3.1 形貌表征 | 第50-51页 |
| 3.3.2 光谱表征 | 第51页 |
| 3.3.3 电学表征 | 第51页 |
| 3.4 转移的普适性 | 第51-52页 |
| 3.5 多层异质结转移和预先图案化转移 | 第52-54页 |
| 3.5.1 多层异质结转移 | 第52-53页 |
| 3.5.2 预先图案化转移 | 第53-54页 |
| 3.6 结合多层异质结转移和预先构图转移制作功能器件 | 第54-56页 |
| 3.7 本章小结 | 第56-58页 |
| 第四章 超短沟道MoS_2场效应晶体管的制备及性能研究 | 第58-80页 |
| 4.1 引言：超短沟道器件面临的困难 | 第58页 |
| 4.2 石墨烯做电极的优越性 | 第58-62页 |
| 4.2.1 接触性能的改善 | 第58-60页 |
| 4.2.2 超短间距源漏电极对的制备 | 第60页 |
| 4.2.3 提高栅压对沟道的调控能力 | 第60-62页 |
| 4.3 器件的结构设计 | 第62-63页 |
| 4.4 器件的加工 | 第63-68页 |
| 4.4.1 器件加工过程 | 第63-65页 |
| 4.4.2 器件结构讨论 | 第65-68页 |
| 4.5 沟道长度的确认 | 第68-70页 |
| 4.6 以石墨烯为电极的二硫化钼场效应晶体管电学性能 | 第70-72页 |
| 4.7 单层MoS_2/石墨烯接触的表征 | 第72-78页 |
| 4.7.1 光谱表征 | 第73-74页 |
| 4.7.2 接触电阻的测量 | 第74-78页 |
| 4.8 电学性能在沟道长度缩小时的变化趋势 | 第78-79页 |
| 4.9 本章小结 | 第79-80页 |
| 第五章 总结与展望 | 第80-82页 |
| 参考文献 | 第82-88页 |
| 个人简历及发表文章目录 | 第88-90页 |
| 致谢 | 第90-92页 |
