| 摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第8-13页 |
| §1.1 隧穿场效应晶体管的研究背景 | 第8-9页 |
| §1.2 隧穿场效应晶体管的研究概况 | 第9-12页 |
| §1.3 本论文的主要研究内容及安排 | 第12-13页 |
| 第二章 隧穿场效应晶体管的基本工作原理 | 第13-20页 |
| §2.1 隧穿场效应晶体管的基本工作原理 | 第13-14页 |
| §2.2 TFET中Zener隧穿的理论计算 | 第14-20页 |
| 2.2.1 隧穿几率与隧穿电流 | 第15-18页 |
| 2.2.2 TFET的亚阈值摆幅 | 第18-20页 |
| 第三章 GaSb/hAs异质结TFET隧穿特性的研究 | 第20-32页 |
| §3.1 理论计算 | 第20-23页 |
| §3.2 数值计算与结果讨论 | 第23-31页 |
| 3.2.1 栅极电压与偏压对GaSb/InAs异质结TFET的影响 | 第24-29页 |
| 3.2.2 材料厚度对GaSb/InAs异质结TFET的影响 | 第29-31页 |
| §3.3 结论 | 第31-32页 |
| 参考文献 | 第32-36页 |
| 致谢 | 第36页 |