| 摘要 | 第4-5页 |
| abstract | 第5页 |
| 专用术语注释表 | 第8-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-20页 |
| 1.1 引言 | 第11页 |
| 1.2 新型碳基材料的简介 | 第11-17页 |
| 1.2.1 石墨烯以及石墨烯纳米条带 | 第12-14页 |
| 1.2.2 碳纳米管 | 第14-17页 |
| 1.3 碳基场效应管的研究现状 | 第17-18页 |
| 1.4 研究内容和创新 | 第18页 |
| 1.5 本论文章节安排 | 第18-20页 |
| 第二章 量子输运理论及计算模型 | 第20-27页 |
| 2.1 非平衡格林函数 | 第20-23页 |
| 2.2 Dyson方程 | 第23页 |
| 2.3 Landauer - Büttiker输运理论 | 第23-25页 |
| 2.4 石墨烯场效应管的模型和方法 | 第25-27页 |
| 第三章 异质结构碳基场效应晶体管的电学特性 | 第27-36页 |
| 3.1 数值模拟结果 | 第27-28页 |
| 3.2 TFET工作原理 | 第28-29页 |
| 3.3 基于异质栅氧化层结构隧穿型石墨烯场效应管的电学特性 | 第29-35页 |
| 3.3.1 异质栅氧化层结构隧穿型GNRFET的电学特性 | 第29-34页 |
| 3.3.2 栅长对HTFET电学特性的影响 | 第34页 |
| 3.3.3 HTFET的p型掺杂浓度对器件电学特性的影响 | 第34-35页 |
| 3.4 本章小结 | 第35-36页 |
| 第四章 采用沟道工程、栅工程技术的隧穿型碳纳米场效应管 | 第36-45页 |
| 4.1 异质栅氧化层结构HTFET的电学特性 | 第36-37页 |
| 4.2 四种不同结构CNTFET的电学特性 | 第37-42页 |
| 4.3 栅介电常数对LDDS-HTFET性能的影响 | 第42页 |
| 4.4 新型碳基场效应管的工程应用（参照ITRS’10） | 第42-43页 |
| 4.5 本章小结 | 第43-45页 |
| 第五章 新型碳基场效应晶体管构建电路的性能分析 | 第45-61页 |
| 5.1 基于石墨烯纳米条带场效应管构建电路的SPICE仿真研究 | 第45-50页 |
| 5.1.1 GNRFET的SPICE查找表模型 | 第45-46页 |
| 5.1.2 TFETs构建的反相器的数字特性 | 第46-47页 |
| 5.1.3 TFETs构建的反相器的瞬态分析 | 第47-49页 |
| 5.1.4 栅长对TFETs构建的反相器性能的影响 | 第49-50页 |
| 5.1.5 VDD对TFETs构建的反相器性能的影响 | 第50页 |
| 5.2 源漏轻掺杂异质栅氧化层结构隧穿型CNTFET构建电路的性能 | 第50-60页 |
| 5.2.1 CNTFET的SPICE查找表模型 | 第50-51页 |
| 5.2.2 LDDS-HTFET反相器(LHINV)逻辑功能的实现及性能比较 | 第51-54页 |
| 5.2.3 LDDS-HTFET二输入或门(LHOR)逻辑功能的实现及性能比较 | 第54-55页 |
| 5.2.4 LDDS-HTFET与门(LHAND)逻辑功能的实现及性能比较 | 第55-56页 |
| 5.2.5 LDDS-HTFET异或门(LHXOR)逻辑功能的实现及性能比较 | 第56-58页 |
| 5.2.6 四种结构所构成存储器的性能比较 | 第58-60页 |
| 5.3 本章小结 | 第60-61页 |
| 第六章 总结与展望 | 第61-63页 |
| 参考文献 | 第63-66页 |
| 附录1 攻读硕士学位期间撰写的论文 | 第66-67页 |
| 附录2 攻读硕士学位期间参加的科研项目 | 第67-68页 |
| 致谢 | 第68页 |
