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硅烯场效应晶体管中电子自旋和谷自由度的全电学调控

摘要第4-5页
abstract第5页
第一章 绪论第7-25页
    1.1 引言第7页
    1.2 二维材料的兴起、制备以及应用前景第7-16页
        1.2.1 石墨烯第7-9页
        1.2.2 六角氮化硼h-BN第9-10页
        1.2.3 过渡金属硫化物第10-13页
        1.2.4 黑磷第13-16页
    1.3 硅烯材料的结构及基本的电子性质第16-21页
        1.3.1 硅烯的发现与制备方法第16-18页
        1.3.2 硅烯的基本结构和性质第18-20页
        1.3.3 硅烯的电学性质第20-21页
    1.4 基于二维材料场效应管的实验与理论方面的研究和进展第21-25页
第二章 硅烯的理论研究方法第25-38页
    2.1 有效质量模型-Dirac方程第25-28页
    2.2 紧束缚近似方法第28-29页
    2.3 Landauer-Buttiker公式及格林函数方法第29-32页
    2.4 密度泛函理论(DFT)第32-38页
第三章 硅烯场效应晶体管中自旋和谷自由度的独立控制第38-46页
    3.1 引言第38-39页
    3.2 硅烯的哈密顿函数和电子态第39页
    3.3 理论设想的装置,散射状态和传输系数第39-45页
    3.4 总结第45-46页
第四章 铁磁硅烯中自旋和谷的全电学控制第46-54页
    4.1 引言第46-47页
    4.2 系统哈密顿量和理论体系第47-50页
    4.3 数值结果和讨论第50-52页
    4.4 总结第52-54页
第五章 总结与展望第54-56页
    5.1 总结第54-55页
    5.2 展望第55-56页
参考文献第56-60页
附录1 攻读硕士学位期间撰写的论文第60-61页
附录2 攻读硕士学位期间参加的科研项目第61-62页
致谢第62页

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