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场效应管瞬态电热特性的谱元法分析

摘要第3-4页
Abstract第4页
1 绪论第7-11页
    1.1 课题研究的背景及意义第7-8页
    1.2 国内外研究现状第8-9页
    1.3 本文的主要贡献与结构安排第9-11页
2 数值模拟半导体器件的理论基础第11-20页
    2.1 模型方程第11-13页
    2.2 半导体器件的迁移率模型第13-15页
    2.3 载流子的产生复合模型第15-17页
    2.4 边界条件第17-20页
3 MOSFET瞬态电热特性模拟第20-41页
    3.1 引言第20页
    3.2 MOSFET瞬态电特性的耦合法模拟第20-34页
        3.2.1 求解变量的选取及方程的归一化第20-23页
        3.2.2 MOSFET模型方程的谱元法表达式推导第23-29页
        3.2.3 MOSFET的输出特性曲线及场分布第29-34页
    3.3 MOSFET瞬态电热特性的一体化模拟第34-40页
        3.3.1 MOSFET电热特性的耦合求解过程第34-35页
        3.3.2 热传导方程的谱元法表达式推导第35-37页
        3.3.3 MOSFET瞬态热效应模拟第37-39页
        3.3.4 MOSFET瞬态电热特性的耦合模拟第39-40页
    3.4 本章小结第40-41页
4 MESFET瞬态电热特性模拟第41-62页
    4.1 引言第41页
    4.2 GaAs MESFET瞬态电热特性模拟第41-53页
        4.2.1 GaAs MESFET的结构特征和工作原理第41-42页
        4.2.2 模型方程的谱元法表达式推导第42-45页
        4.2.3 GaAs MESFET瞬态电热特性模拟第45-53页
    4.3 GaAs/Si MESFET瞬态电热特性模拟第53-61页
        4.3.1 GaAs/Si MESFET的结构特征第53页
        4.3.2 模型方程的谱元法表达式推导第53-57页
        4.3.3 GaAs/Si MESFET瞬态电热特性模拟第57-61页
    4.4 本章小结第61-62页
5 基于MOSFET物理模型的放大电路模拟第62-67页
    5.1 引言第62页
    5.2 共源放大电路模型第62页
    5.3 放大电路的模拟过程第62-64页
        5.3.1 电路方程及其推导第63页
        5.3.2 电路方程和MOSFET模型方程联合求解流程第63-64页
    5.4 放大电路的模拟结果第64-66页
    5.5 本章小结第66-67页
6 总结与展望第67-68页
    6.1 全文总结第67页
    6.2 后续工作展望第67-68页
致谢第68-69页
参考文献第69-72页

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