| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 第一章 绪论 | 第8-22页 |
| 1.1 引言 | 第8-9页 |
| 1.2 有机场效应晶体管发展现状 | 第9-10页 |
| 1.3 有机场效应晶体管的结构和原理 | 第10-13页 |
| 1.3.1 有机场效应晶体管的结构 | 第10-12页 |
| 1.3.2 有机场效应晶体管的工作原理简介 | 第12-13页 |
| 1.4 有机场效应晶体管制作方法 | 第13-15页 |
| 1.5 新型有机半导体材料 | 第15-19页 |
| 1.5.1 p型材料 | 第16-17页 |
| 1.5.2 n型材料 | 第17-18页 |
| 1.5.3 双极型半导体材料 | 第18-19页 |
| 1.6 本章涉及的薄膜制备工艺 | 第19-21页 |
| 1.6.1 物理气相沉积法 | 第20页 |
| 1.6.2 旋涂法 | 第20页 |
| 1.6.3 喷墨打印法 | 第20-21页 |
| 1.7 本课题的研究内容和意义 | 第21-22页 |
| 第二章 基于N-杂化噻吩半导体材料的OFET的探究 | 第22-34页 |
| 2.1 使用新型有机半导体材料的意义 | 第22-23页 |
| 2.2 BFTTME和BFTTMD作为活性层的有机场效应晶体管制备与表征 | 第23-26页 |
| 2.2.1 实验材料 | 第23页 |
| 2.2.2 实验仪器 | 第23-24页 |
| 2.2.3 实验过程 | 第24-26页 |
| 2.2.4 有机场效应晶体管的表征 | 第26页 |
| 2.3 使用BFTTME和BFTTMD制作有机场效应晶体管的表征分析 | 第26-33页 |
| 2.3.1 有机场效应晶体管的电学性能测试 | 第26-30页 |
| 2.3.2 有机活性层的AFM表征 | 第30-33页 |
| 2.4 本章小结 | 第33-34页 |
| 第三章 P3HT掺杂BFTTME活性层材料的OFET研究 | 第34-46页 |
| 3.1 活性层掺杂的意义 | 第34页 |
| 3.2 制备与表征基于有机材料BFTTME掺杂P3HT的OFET | 第34-38页 |
| 3.2.1 实验设备 | 第34-35页 |
| 3.2.2 实验材料 | 第35-36页 |
| 3.2.3 实验过程 | 第36-37页 |
| 3.2.4 有机场效应晶体管的测试 | 第37-38页 |
| 3.3 基于BFTTME掺杂P3HT的有机场效应晶体管的测试结果分析 | 第38-45页 |
| 3.3.1 比较不同修饰层和掺杂浓度的OFET的功能参数 | 第38-42页 |
| 3.3.2 XRD表征结果分析 | 第42-44页 |
| 3.3.3 AFM表征结果分析 | 第44-45页 |
| 3.4 本章小结 | 第45-46页 |
| 第四章 喷墨打印的方式制备柔性有机场效应晶体管 | 第46-52页 |
| 4.1 基底选择与打印方式的意义 | 第46-47页 |
| 4.2 以相片纸为基底的有机场效应晶体管的制备与表征 | 第47-49页 |
| 4.2.1 实验材料 | 第47页 |
| 4.2.2 实验设备 | 第47-48页 |
| 4.2.3 边栅有机场效应晶体管的结构 | 第48页 |
| 4.2.4 边栅结构有机场效应晶体管的制备 | 第48-49页 |
| 4.3 器件表征结果分析 | 第49-51页 |
| 4.4 本章小结 | 第51-52页 |
| 第五章 总结与展望 | 第52-53页 |
| 参考文献 | 第53-58页 |
| 附录2 攻读硕士学位期间撰写的论文 | 第58-59页 |
| 附录3 攻读硕士学位期间申请的专利 | 第59-60页 |
| 附录4 攻读硕士学位期间参加的科研项目 | 第60-61页 |
| 致谢 | 第61页 |
