| 摘要 | 第6-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第10-17页 |
| 1.1 功率半导体器件发展简述 | 第10-11页 |
| 1.2 功率MOSFET发展概述 | 第11-16页 |
| 1.2.1 LDMOS | 第11-12页 |
| 1.2.2 VMOS | 第12页 |
| 1.2.3 VDMOS | 第12-14页 |
| 1.2.4 超结和半超结MOS | 第14-16页 |
| 1.3 本文的主要工作 | 第16-17页 |
| 第二章 VDMOS的基本特性 | 第17-27页 |
| 2.1 VDMOS的基本原理 | 第17-20页 |
| 2.2 VDMOS的主要参数 | 第20-24页 |
| 2.2.1 阈值电压 | 第20-21页 |
| 2.2.2 导通电阻 | 第21-22页 |
| 2.2.3 击穿电压 | 第22-23页 |
| 2.2.4 其它参数 | 第23-24页 |
| 2.3 VDMOS的终端结构 | 第24-26页 |
| 2.3.1 常用的几种终端结构 | 第24-25页 |
| 2.3.2 场限环和场板结构的基本原理 | 第25-26页 |
| 2.4 本章小结 | 第26-27页 |
| 第三章 700V功率VDMOS的设计与仿真优化 | 第27-40页 |
| 3.1 700V功率VDMOS的基本参数设计 | 第27-29页 |
| 3.2 700V功率VDMOS的元胞设计与仿真 | 第29-31页 |
| 3.3 700V功率VDMOS的终端结构设计与仿真 | 第31-39页 |
| 3.3.1 终端失效分析与仿真验证 | 第31-34页 |
| 3.3.2 终端结构改进与优化设计 | 第34-39页 |
| 3.3.3 场限环与复合场板终端结构设计经验总结 | 第39页 |
| 3.4 本章小结 | 第39-40页 |
| 第四章 版图的设计 | 第40-50页 |
| 4.1 元胞布局对VDMOS的影响 | 第40-41页 |
| 4.2 700V功率VDMOS版图设计 | 第41-46页 |
| 4.3 导通电阻流片结果 | 第46-49页 |
| 4.4 本章小结 | 第49-50页 |
| 结论与未来的工作 | 第50-51页 |
| 致谢 | 第51-52页 |
| 参考文献 | 第52-57页 |
| 攻读硕士期间发表的论文 | 第57页 |