| 摘要 | 第6-8页 |
| ABSTRACT | 第8-9页 |
| 第一章 绪论 | 第12-19页 |
| 1.1 研究背景 | 第12-13页 |
| 1.2 国内外研究现状 | 第13-16页 |
| 1.2.1 国际现状 | 第13-15页 |
| 1.2.2 国内现状 | 第15-16页 |
| 1.3 论文选题与意义 | 第16-17页 |
| 1.4 主要研究内容和结构 | 第17-19页 |
| 第二章 深纳米MOSFET版图邻近效应机理分析 | 第19-30页 |
| 2.1 亚波长光刻 | 第19-21页 |
| 2.2 应力邻近效应 | 第21-27页 |
| 2.2.1 浅沟槽隔离应力 | 第22-23页 |
| 2.2.2 嵌入式锗硅 | 第23-24页 |
| 2.2.3 接触孔应力 | 第24页 |
| 2.2.4 应力衬里 | 第24-26页 |
| 2.2.5 应力记忆技术 | 第26-27页 |
| 2.3 阱邻近效应 | 第27-28页 |
| 2.4 瞬态增强扩散效应 | 第28-30页 |
| 第三章 40nm MOSFET核心模型的提取 | 第30-48页 |
| 3.1 深纳米MOSFET核心模型选取 | 第30-32页 |
| 3.2 40nm MOSFET性能测试 | 第32-34页 |
| 3.2.1 C-V测试 | 第32-33页 |
| 3.2.2 I-V测试 | 第33-34页 |
| 3.3 参数提取过程 | 第34-36页 |
| 3.4 参数提取结果及讨论 | 第36-48页 |
| 3.4.1 C-V模型参数的提取结果 | 第36-39页 |
| 3.4.2 I-V模型参数的提取结果 | 第39-48页 |
| 第四章 40nm MOSFET版图邻近效应模型的创建与验证 | 第48-81页 |
| 4.1 模型结构和建模流程 | 第48-50页 |
| 4.2 建模因子选择 | 第50-51页 |
| 4.3 版图邻近效应模型的建立 | 第51-64页 |
| 4.3.1 基本模型参数的选择 | 第51-55页 |
| 4.3.2 版图邻近子模型的创建 | 第55-64页 |
| 4.3.3 版图邻近子模型与核心模型的合成 | 第64页 |
| 4.4 版图邻近效应测试结构设计和分析 | 第64-71页 |
| 4.4.1 测试结构和尺寸设计 | 第65-68页 |
| 4.4.2 版图设计 | 第68页 |
| 4.4.3 性能测试与分析 | 第68-71页 |
| 4.5 模型拟合结果与分析 | 第71-81页 |
| 4.5.1 STI应力邻近效应的部分拟合结果与分析 | 第71-72页 |
| 4.5.2 阱邻近效应的部分拟合结果与分析 | 第72-75页 |
| 4.5.3 有源区邻近效应的部分拟合结果与分析 | 第75-78页 |
| 4.5.4 栅极邻近效应的部分拟合结果与分析 | 第78-81页 |
| 第五章 总结与展望 | 第81-83页 |
| 5.1 总结 | 第81-82页 |
| 5.2 展望 | 第82-83页 |
| 参考文献 | 第83-87页 |
| 硕士在读期间的科研成果 | 第87-88页 |
| 致谢 | 第88页 |