| 摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-16页 |
| 1.1 SOI技术 | 第9-11页 |
| 1.2 SOI功率器件研究现状 | 第11-13页 |
| 1.3 论文的选题意义、主要内容和创新点 | 第13-16页 |
| 1.3.1 选题意义 | 第13-14页 |
| 1.3.2 主要内容 | 第14页 |
| 1.3.3 主要创新点 | 第14-16页 |
| 第二章 SOI LDMOS器件 | 第16-42页 |
| 2.1 SOI LDMOS基本结构 | 第16页 |
| 2.2 SOI LDMOS耐压技术 | 第16-26页 |
| 2.2.1 降低表面电场（RESURF）技术 | 第16-19页 |
| 2.2.2 介质场增强（ENDIF）技术 | 第19-23页 |
| 2.2.3 场板技术 | 第23-26页 |
| 2.3 SOI LDMOS耐压结构 | 第26-37页 |
| 2.3.1 通过改变埋氧层提高器件耐压 | 第26-30页 |
| 2.3.2 通过改变漂移区提高器件耐压 | 第30-31页 |
| 2.3.3 通过界面电荷提高器件耐压 | 第31-33页 |
| 2.3.4 通过衬底提高器件耐压 | 第33-35页 |
| 2.3.5 通过在漂移区引入介质槽提高器件耐压 | 第35-37页 |
| 2.4 降低比导通电阻的SOI LDMOS结构 | 第37-41页 |
| 2.4.1 通过增加漂移区浓度降低比导通电阻 | 第37-38页 |
| 2.4.2 采用超结结构降低比导通电阻 | 第38-39页 |
| 2.4.3 采用槽型电极结构降低比导通电阻 | 第39-41页 |
| 2.5 本章小结 | 第41-42页 |
| 第三章 具有槽型电极的SOI LDMOS器件 | 第42-78页 |
| 3.1 槽栅SOI结构 | 第42-46页 |
| 3.1.1 器件结构与机理 | 第42-43页 |
| 3.1.2 导通特性及击穿特性分析 | 第43-45页 |
| 3.1.3 漂移区浓度N_d对TGSOI结构BV、R_(sp,on)的影响 | 第45-46页 |
| 3.2 槽漏SOI结构 | 第46-48页 |
| 3.3 具有纵向漏极场板的槽栅槽漏SOI器件新结构 | 第48-58页 |
| 3.3.1 器件结构与机理 | 第49-51页 |
| 3.3.2 击穿特性与导通电阻特性分析 | 第51-57页 |
| 3.3.3 开关特性分析 | 第57-58页 |
| 3.4 槽栅槽源SOI器件新结构 | 第58-67页 |
| 3.4.1 器件结构与机理 | 第59页 |
| 3.4.2 击穿特性和比导通电阻特性分析 | 第59-65页 |
| 3.4.3 槽栅槽源SOI LDMOS实验方案 | 第65-67页 |
| 3.5 具有纵向栅极场板的槽栅槽源SOI器件新结构 | 第67-76页 |
| 3.5.1 器件结构与击穿特性分析 | 第67-71页 |
| 3.5.2 比导通电阻特性分析 | 第71页 |
| 3.5.3 器件参数对VGFP-TGTS SOI结构BV、R_(sp,on)的影响 | 第71-75页 |
| 3.5.4 开关特性分析 | 第75-76页 |
| 3.6 本章小结 | 第76-78页 |
| 第四章 漂移区引入介质槽的SOI LDMOS器件 | 第78-108页 |
| 4.1 槽型SOI LDMOS二维表面电势和表面电场模型 | 第78-91页 |
| 4.1.1 区域2表面电势和表面电场 | 第79-82页 |
| 4.1.2 区域1和区域3表面电势和表面电场 | 第82-84页 |
| 4.1.3 结果与分析 | 第84-91页 |
| 4.2 双槽型SOI结构 | 第91-94页 |
| 4.3 具有L型源极场板的双槽型SOI器件新结构 | 第94-107页 |
| 4.3.1 器件结构与机理 | 第94-95页 |
| 4.3.2 仿真结果与分析 | 第95-104页 |
| 4.3.3 开关特性分析 | 第104-105页 |
| 4.3.4 具有L型源极场板的双槽型SOI LDMOS实验方案 | 第105-107页 |
| 4.4 本章小结 | 第107-108页 |
| 第五章 总结和展望 | 第108-110页 |
| 5.1 全文总结 | 第108-109页 |
| 5.2 下一步工作的展望 | 第109-110页 |
| 参考文献 | 第110-122页 |
| 发表论文和科研情况说明 | 第122-123页 |
| 致谢 | 第123-124页 |
