| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 1. 绪论 | 第10-20页 |
| 1.1. 课题背景及研究意义 | 第10-11页 |
| 1.2. 半导体器件发展历程 | 第11-15页 |
| 1.2.1. 晶体二极管 | 第11-13页 |
| 1.2.2. 双极型晶体管 | 第13-14页 |
| 1.2.3. 场效应晶体管 | 第14-15页 |
| 1.3. LDMOS的简介 | 第15-17页 |
| 1.3.1. LDMOS的基本结构与特点 | 第15-16页 |
| 1.3.2. LDMOS的I-V输出特性 | 第16-17页 |
| 1.4. 论文研究目标 | 第17-18页 |
| 1.5. 论文工作简介 | 第18-20页 |
| 2. 基于SOI结构的LDMOS器件设计 | 第20-32页 |
| 2.1. 高压SOI技术的概述 | 第20-22页 |
| 2.1.1. 注氧隔离技术SIMOX | 第21页 |
| 2.1.2. 直接键合SDB技术 | 第21页 |
| 2.1.3. 智能剥离技术 | 第21-22页 |
| 2.2. 高压SOI LDMOS器件的设计方法 | 第22-25页 |
| 2.3. 高压SOI LDMOS器件的主要参数设计 | 第25-31页 |
| 2.3.1. 场板的设计 | 第25-26页 |
| 2.3.2. 沟道区的设计 | 第26-27页 |
| 2.3.3. 漂移区的设计 | 第27-30页 |
| 2.3.4. 埋氧区的设计 | 第30-31页 |
| 2.4. 小结 | 第31-32页 |
| 3. 槽形结构SOI LDMOS器件的模拟研究 | 第32-44页 |
| 3.1. TRENCH技术 | 第32-33页 |
| 3.2. 槽型LDMOS器件原理 | 第33页 |
| 3.3. 一种新型的槽型SOI LDMOS器件 | 第33-42页 |
| 3.3.1. DOT SOI LDMOS器件的发展来源 | 第34-35页 |
| 3.3.2. DOT SOI LDMOS器件的结构和工作机制 | 第35-36页 |
| 3.3.3. 结果和讨论 | 第36-42页 |
| 3.4. 小结 | 第42-44页 |
| 4. 具有N/P埋层的SOI LDMOS器件的模拟研究 | 第44-66页 |
| 4.1. 不同尺寸的BNL SOI LDMOS的器件研究 | 第44-50页 |
| 4.2. 具有N/P埋层的SOI LDMOS器件的结构与工作机制 | 第50-54页 |
| 4.3. 仿真结果的分析与讨论 | 第54-64页 |
| 4.3.1. 电场与电势的分布 | 第54-57页 |
| 4.3.2. PBPL SOI LDMOS | 第57-60页 |
| 4.3.3. PBNL SOI LDMOS | 第60-63页 |
| 4.3.4. 击穿电压与导通电阻的折中关系 | 第63-64页 |
| 4.4. 小结 | 第64-66页 |
| 5. 总结与展望 | 第66-68页 |
| 5.1. 全文总结 | 第66-67页 |
| 5.2. 未来工作的展望 | 第67-68页 |
| 致谢 | 第68-70页 |
| 参考文献 | 第70-75页 |
| 附录 | 第75页 |
| 作者在读研期间发表的学术论文及参加的科研项目 | 第75页 |
