| 摘要 | 第3-5页 |
| ABSTRACT | 第5-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-17页 |
| 1.1 二维材料概述 | 第10-11页 |
| 1.2 单层MOS_2简介 | 第11-14页 |
| 1.2.1 MoS_2的晶体结构及电学性质 | 第11-12页 |
| 1.2.2 MoS_2的应用 | 第12-14页 |
| 1.3 单层MOS_2效应晶体管的电子输运研究 | 第14-16页 |
| 1.3.1 金属电极-MoS_2接触电子学 | 第15页 |
| 1.3.2 MoS_2载流子散射 | 第15-16页 |
| 1.4 本文的研究目的及意义 | 第16-17页 |
| 第二章 基本理论与计算软件 | 第17-30页 |
| 2.1 密度泛函理论 | 第17-22页 |
| 2.1.1 基于波函数的第一性原理方法 | 第17-19页 |
| 2.1.2 密度泛函理论——从波函数到电子密度 | 第19-22页 |
| 2.2 纳米电子输运理论 | 第22-27页 |
| 2.2.1 引言 | 第22-23页 |
| 2.2.2 Landauer-Büttiker理论 | 第23-24页 |
| 2.2.3 非平衡格林函数方法 | 第24-27页 |
| 2.3 计算软件简介 | 第27-30页 |
| 2.3.1 VASP软件简介 | 第27-28页 |
| 2.3.2 ATK软件简介 | 第28-30页 |
| 第三章 失配应力对金电极-MOS_2界面特性的影响 | 第30-45页 |
| 3.1 引言 | 第30-31页 |
| 3.2 计算方法与模型 | 第31-32页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第32-44页 |
| 3.3.1 含不同失配应力界面模型的构建与选择 | 第32-34页 |
| 3.3.2 失配应力对界面间距和界面隧穿势垒的影响 | 第34-36页 |
| 3.3.3 失配应力对肖特基势垒高度的影响 | 第36-40页 |
| 3.3.4 失配应力对界面电荷密度的影响 | 第40-41页 |
| 3.3.5 应力同时施加在Au基底和MoS_2时界面特性 | 第41-44页 |
| 3.4 本章小结 | 第44-45页 |
| 第四章 介电环境对MOS_2沟道输运性能的影响 | 第45-52页 |
| 4.1 引言 | 第45页 |
| 4.2 计算模拟方法 | 第45-46页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第46-51页 |
| 4.3.1 MoS_2场效应晶体管模型和电极的能带结构 | 第46-47页 |
| 4.3.2 器件在不同介电环境中表现出来的性能 | 第47-51页 |
| 4.4 本章小结 | 第51-52页 |
| 第五章 结论与展望 | 第52-54页 |
| 5.1 结论 | 第52页 |
| 5.2 展望 | 第52-54页 |
| 参考文献 | 第54-62页 |
| 致谢 | 第62-63页 |
| 硕士期间发表的学术论文 | 第63页 |
