SOI MOSFET高频特性及噪声模型研究
| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第11-17页 |
| 1.1 引言 | 第11页 |
| 1.2 SOI射频技术概述 | 第11-14页 |
| 1.2.1 SOI CMOS射频技术优势 | 第11-12页 |
| 1.2.2 几种射频工艺对比 | 第12-13页 |
| 1.2.3 SOI材料制备 | 第13-14页 |
| 1.3 国内外研究现状 | 第14-15页 |
| 1.3.1 国外SOI技术发展现状 | 第14页 |
| 1.3.2 国内SOI技术发展现状 | 第14-15页 |
| 1.4 论文结构及内容 | 第15-17页 |
| 第二章 SOI MOSFET器件及射频模型概述 | 第17-28页 |
| 2.1 SOI MOSFET器件结构 | 第17-20页 |
| 2.1.1 部分耗尽SOI MOSFET | 第17-18页 |
| 2.1.2 全耗尽SOI MOSFET | 第18页 |
| 2.1.3 体接触器件 | 第18-20页 |
| 2.2 SOI MOSFET器件特性 | 第20-23页 |
| 2.2.1 SOI MOSFET结二极管 | 第20页 |
| 2.2.2 背栅效应 | 第20-21页 |
| 2.2.3 浮体效应 | 第21-22页 |
| 2.2.4 记忆效应 | 第22-23页 |
| 2.2.5 短沟道效应 | 第23页 |
| 2.2.6 漏致势垒降低 | 第23页 |
| 2.2.7 自热效应 | 第23页 |
| 2.3 SOI MOSFET射频模型 | 第23-27页 |
| 2.3.1 SOI SPICE模型 | 第24-26页 |
| 2.3.2 SOI射频器件模型 | 第26-27页 |
| 2.4 本章小结 | 第27-28页 |
| 第三章 SOI MOSFET射频模型 | 第28-55页 |
| 3.1 网络参数 | 第28-32页 |
| 3.1.1 两端口网络参数 | 第28-31页 |
| 3.1.2 多端口网络参数的转换 | 第31-32页 |
| 3.2 本征模型 | 第32-38页 |
| 3.2.1 测试环境及测试方案 | 第33-36页 |
| 3.2.2 Global本征模型参数提取 | 第36-38页 |
| 3.3 非本征模型 | 第38-45页 |
| 3.3.1 测试环境及测试方案 | 第39-40页 |
| 3.3.2 去嵌技术 | 第40-42页 |
| 3.3.3 子电路拓扑结构 | 第42-44页 |
| 3.3.4 Global射频参数提取 | 第44-45页 |
| 3.4 射频模型验证 | 第45-49页 |
| 3.5 超低温射频特性分析 | 第49-54页 |
| 3.5.1 直流特性 | 第50-51页 |
| 3.5.2 射频特性 | 第51-54页 |
| 3.6 本章小结 | 第54-55页 |
| 第四章 MOSFET高频噪声解析提取 | 第55-68页 |
| 4.1 各类噪声源研究现状 | 第55-58页 |
| 4.2.1 闪烁噪声 | 第56页 |
| 4.2.2 散粒噪声 | 第56-57页 |
| 4.2.3 热噪声 | 第57-58页 |
| 4.2 二端口网络噪声理论 | 第58-59页 |
| 4.3 高频噪声解析提取 | 第59-64页 |
| 4.3.1 小信号参数提取 | 第60-61页 |
| 4.3.2 高频噪声提取算法 | 第61-64页 |
| 4.4 仿真结果分析 | 第64-66页 |
| 4.5 本章小结 | 第66-68页 |
| 第五章 基于四端口网络的小信号参数解析提取 | 第68-76页 |
| 5.1 SOI衬底模型 | 第68-69页 |
| 5.2 基于四端口网络小信号参数提取 | 第69-72页 |
| 5.2.1 四端口网络参数 | 第69页 |
| 5.2.2 模型参数提取 | 第69-72页 |
| 5.3 模型验证 | 第72-75页 |
| 5.4 本章小结 | 第75-76页 |
| 第六章 总结与展望 | 第76-78页 |
| 6.1 总结 | 第76页 |
| 6.2 展望 | 第76-78页 |
| 致谢 | 第78-79页 |
| 参考文献 | 第79-87页 |
| 附录 作者在读期间发表的学术论文及参加的科研项目 | 第87页 |
| 发表的学术论文 | 第87页 |
| 参加的科研项目 | 第87页 |
