| 摘要 | 第6-8页 |
| Abstract | 第8-9页 |
| 第一章 绪论 | 第12-19页 |
| 1.1 研究背景 | 第12-14页 |
| 1.2 国内外发展动态分析 | 第14-16页 |
| 1.3 选题意义与研究内容 | 第16-19页 |
| 第二章 三维FinFET器件核心模型及基本特性 | 第19-33页 |
| 2.1 深纳米三维FinFET器件核心模型 | 第19-24页 |
| 2.2 TCAD模拟仿真技术 | 第24-25页 |
| 2.3 深纳米三维FinFET器件基本特性 | 第25-32页 |
| 2.4 本章小结 | 第32-33页 |
| 第三章 三维FinFET器件寄生电阻提取与建模 | 第33-43页 |
| 3.1 基本沟道电流法提取寄生电阻 | 第33-34页 |
| 3.2 考虑迁移率偏压相关因素的提取方法 | 第34-35页 |
| 3.3 源漏寄生不对称电阻提取方法 | 第35-36页 |
| 3.4 偏压相关的源漏寄生电阻分离方法 | 第36-38页 |
| 3.5 凸起源漏区域的寄生电阻 | 第38-39页 |
| 3.6 过渡区寄生电阻模型 | 第39-41页 |
| 3.7 源漏扩展区寄生电阻模型 | 第41-42页 |
| 3.8 本章小结 | 第42-43页 |
| 第四章 深纳米工艺代三维FinFET器件中寄生电容建模 | 第43-60页 |
| 4.1 栅围寄生电容划分策略 | 第43-45页 |
| 4.2 基本垂直电容模型 | 第45-50页 |
| 4.3 寄生电容模型验证 | 第50-56页 |
| 4.4 包含栅围寄生电容的基本电路仿真和分析 | 第56-58页 |
| 4.5 本章小结 | 第58-60页 |
| 第五章 总结与展望 | 第60-62页 |
| 5.1 总结 | 第60-61页 |
| 5.2 展望 | 第61-62页 |
| 参考文献 | 第62-65页 |
| 硕士在读期间科研成果 | 第65-66页 |
| 致谢 | 第66页 |