功率MOSFET的终端耐压特性研究
| 摘要 | 第6-7页 |
| ABSTRACT | 第7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-17页 |
| 1.1 研究背景及意义 | 第10-11页 |
| 1.2 功率MOSFET的研究现状 | 第11-15页 |
| 1.3 边端技术的发展状况 | 第15-16页 |
| 1.4 本文的主要工作 | 第16-17页 |
| 第二章 功率MOSFET的元胞与边端 | 第17-29页 |
| 2.1 功率MOSFET的结构 | 第17-18页 |
| 2.2 功率MOSFET的重要参数 | 第18-24页 |
| 2.2.1 阈值电压(VTH) | 第18-19页 |
| 2.2.2 导通电阻(Rds(on)) | 第19-22页 |
| 2.2.3 击穿电压(BV) | 第22-24页 |
| 2.3 PN结理论 | 第24-28页 |
| 2.3.1 无限大平面结的击穿原理 | 第24-25页 |
| 2.3.2 柱状结的击穿原理 | 第25-28页 |
| 2.4 本章小结 | 第28-29页 |
| 第三章 功率MOSFET的边端技术与仿真 | 第29-40页 |
| 3.1 场限环技术与场限环仿真研究 | 第29-35页 |
| 3.1.1 单场限环的简单原理 | 第30-32页 |
| 3.1.2 单场限环的仿真研究 | 第32-35页 |
| 3.2 场板技术与场板仿真研究 | 第35-38页 |
| 3.2.1 场板的结构及原理 | 第35-36页 |
| 3.2.2 场板的仿真研究 | 第36-38页 |
| 3.3 横向变掺杂技术的研究 | 第38-39页 |
| 3.4 本章小结 | 第39-40页 |
| 第四章 场限环与场板复合应用下的900V边端设计 | 第40-49页 |
| 4.1 设计方法概述 | 第40-43页 |
| 4.2 三场环的边端设计 | 第43-45页 |
| 4.3 900V场环场板的复合边端设计的优化 | 第45-48页 |
| 4.4 本章小结 | 第48-49页 |
| 第五章 横向变掺杂应用下的900V边端设计 | 第49-55页 |
| 5.1 设计方法概述 | 第49-50页 |
| 5.2 VLD仿真设计与验证 | 第50-54页 |
| 5.3 本章小结 | 第54-55页 |
| 结论与未来的工作 | 第55-56页 |
| 致谢 | 第56-57页 |
| 参考文献 | 第57-61页 |
| 硕士期间发表的论文 | 第61页 |
