| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 第1章 绪论 | 第8-18页 |
| 1.1 GaN材料介绍 | 第8-9页 |
| 1.2 AlGaN/GaN HEMT结构原理 | 第9-13页 |
| 1.2.1 极化效应 | 第9-10页 |
| 1.2.2 二维电子气 | 第10-13页 |
| 1.3 研究背景 | 第13-15页 |
| 1.3.1 AlGaN/GaN HEMT的历史和现状 | 第13-15页 |
| 1.3.2 AlGaN/GaN HEMT受力研究的意义 | 第15页 |
| 1.4 本文主要研究内容及安排 | 第15-18页 |
| 第2章 AlGaN/GaN HEMT工艺及残余应力的研究 | 第18-30页 |
| 2.1 AlGaN/GaN HEMT结构及其制备 | 第18-21页 |
| 2.1.1 基本结构 | 第18-19页 |
| 2.1.2 欧姆接触 | 第19-20页 |
| 2.1.3 肖特基接触 | 第20-21页 |
| 2.1.4 表面钝化 | 第21页 |
| 2.2 残余应力测量方法介绍 | 第21-22页 |
| 2.3 拉曼散射测量 | 第22-26页 |
| 2.3.1 拉曼测量原理 | 第22-24页 |
| 2.3.2 Raman测量结果 | 第24-26页 |
| 2.4 X射线衍射测量 | 第26-29页 |
| 2.4.1 XRD测量原理 | 第26-28页 |
| 2.4.2 XRD测量结果 | 第28-29页 |
| 2.5 本章小结 | 第29-30页 |
| 第3章 应力对AlGaN/GaN HEMT性能的影响 | 第30-44页 |
| 3.1 应力装置介绍 | 第30-33页 |
| 3.3 实验方案 | 第33-34页 |
| 3.4 实验结果及分析 | 第34-42页 |
| 3.5 本章小结 | 第42-44页 |
| 第4章 交变应力对AlGaN/GaN HEMT性能的影响 | 第44-52页 |
| 4.1 应力装置介绍 | 第44-45页 |
| 4.2 实验方案 | 第45页 |
| 4.3 实验结果及分析 | 第45-49页 |
| 4.4 本章小结 | 第49-52页 |
| 第5章 应力对AlGaAs/GaAs激光器性能的影响 | 第52-62页 |
| 5.1 结构及其制备 | 第52-53页 |
| 5.2 实验方案 | 第53-54页 |
| 5.3 实验结果及分析 | 第54-60页 |
| 5.4 本章小结 | 第60-62页 |
| 总结 | 第62-64页 |
| 参考文献 | 第64-70页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文 | 第70-72页 |
| 致谢 | 第72页 |
