| 中文摘要 | 第3-4页 |
| 英文摘要 | 第4-5页 |
| 1 绪论 | 第8-18页 |
| 1.1 GeSn TFET的研究背景 | 第8-15页 |
| 1.1.1 CMOS按比例缩小 | 第8-11页 |
| 1.1.2 TFET的优势 | 第11-14页 |
| 1.1.3 GeSn材料的优势 | 第14-15页 |
| 1.2 国内外研究现状 | 第15-16页 |
| 1.3 研究目的和研究内容 | 第16-18页 |
| 1.3.1 研究目的 | 第16页 |
| 1.3.2 研究内容 | 第16-18页 |
| 2 能带计算及器件模拟方法 | 第18-30页 |
| 2.1 锗锡（Ge Sn）、硅锗锡（SiGeSn）能带计算方法 | 第18-23页 |
| 2.1.1 经验赝势方法（EPM） | 第18-20页 |
| 2.1.2 k×p微扰理论 | 第20-23页 |
| 2.2 器件性能模拟 | 第23-30页 |
| 2.2.1 Sentaurus TCAD软件介绍 | 第23-25页 |
| 2.2.2 器件仿真 | 第25-30页 |
| 3 Ge Sn TFET应变工程 | 第30-42页 |
| 3.1 应变对能带结构的影响 | 第30-35页 |
| 3.2 应变GeSn TFET仿真 | 第35-40页 |
| 3.2.1 器件结构 | 第35-37页 |
| 3.2.2 应变对GeSn TFET性能影响 | 第37-39页 |
| 3.2.3 沟道表面取向对性能影响 | 第39-40页 |
| 3.3 总结 | 第40-42页 |
| 4 异质结增强型Ge1-xSnx/Ge1-ySny TFET | 第42-52页 |
| 4.1 Ge1-xSnx/Ge1-ySnyI型异质结 | 第42-43页 |
| 4.2 Ge1-xSnx/Ge1-ySnyHE-TFET器件仿真 | 第43-44页 |
| 4.3 HE-PTFET电学性能仿真结果分析 | 第44-51页 |
| 4.4 总结 | 第51-52页 |
| 5 GeSn/SiGeSnII型异质隧穿结TFET | 第52-72页 |
| 5.1 晶晶格匹配的Ge Sn/SiGe Sn II型异质结 | 第52-53页 |
| 5.2 GeSn/SiGeSn hetero-TFET：N沟道器件 | 第53-62页 |
| 5.2.1 器件结构以及相关参数 | 第53-54页 |
| 5.2.2 仿真结果分析 | 第54-62页 |
| 5.2.3 小结 | 第62页 |
| 5.3 SiGe Sn/GeSn hetero-TFET：P沟道器件 | 第62-71页 |
| 5.3.1 器件仿真 | 第63页 |
| 5.3.2 仿真结果分析 | 第63-71页 |
| 5.3.3 小结 | 第71页 |
| 5.4 总结 | 第71-72页 |
| 6 总结与展望 | 第72-74页 |
| 致谢 | 第74-76页 |
| 参考文献 | 第76-80页 |
| 附录 | 第80-88页 |
| A 作者在攻读硕士学位期间所发表的论文 | 第80页 |
| B 作者在攻读硕士学位期间所授权专利 | 第80-81页 |
| C 程序（一） | 第81-85页 |
| D 程序（二） | 第85-88页 |
