| 摘要 | 第6-8页 |
| Abstract | 第8-9页 |
| 第一章 绪论 | 第12-20页 |
| 1.1 研究背景 | 第12-13页 |
| 1.2 国内外研究现状 | 第13-17页 |
| 1.2.1 国外研究现状 | 第14-16页 |
| 1.2.2 国内研究现状 | 第16-17页 |
| 1.3 论文的选题与意义 | 第17-18页 |
| 1.4 主要研究内容和结构 | 第18-20页 |
| 第二章 纳米MOSFET器件寄生效应分析 | 第20-32页 |
| 2.1 纳米平面MOSFET寄生效应存在形态分析 | 第21-25页 |
| 2.1.1 本征电容分析 | 第22-24页 |
| 2.1.2 栅围寄生电容分析 | 第24-25页 |
| 2.2 纳米平面MOSFET工艺波动对寄生效应分析 | 第25-31页 |
| 2.2.1 随机掺杂波动 | 第26-27页 |
| 2.2.2 线宽粗糙度和线边缘粗糙度 | 第27-28页 |
| 2.2.3 栅极氧化层波动 | 第28-30页 |
| 2.2.4 光学邻近效应 | 第30-31页 |
| 本章小结 | 第31-32页 |
| 第三章 双介质垂直板电容模型建立 | 第32-40页 |
| 3.1 垂直板电容公式的抽取方法介绍 | 第32-36页 |
| 3.2 双介质垂直板电容模型参数提取及验证 | 第36-38页 |
| 本章小结 | 第38-40页 |
| 第四章 栅至源/漏边缘电容版图布局效应模型提取 | 第40-53页 |
| 4.1 栅极电容的划分双测试方案 | 第40-41页 |
| 4.2 40nm工艺流片及波动性分析 | 第41-45页 |
| 4.2.1 过刻蚀导致的电容处理方法 | 第41-44页 |
| 4.2.2 其他工艺波动对寄生电容的影响 | 第44-45页 |
| 4.3 栅至源/漏边缘电容版图布局效应的建模 | 第45-52页 |
| 4.3.1 栅至源/漏边缘电容的建模流程 | 第45-46页 |
| 4.3.2 电容模型提取 | 第46-51页 |
| 4.3.3 C_f电容模型验证 | 第51-52页 |
| 本章小结 | 第52-53页 |
| 第五章 基于40nm工艺的Pcell开发与实现 | 第53-62页 |
| 5.1 PDK的应用环境 | 第53-54页 |
| 5.2 PDK的设计流程 | 第54-56页 |
| 5.3 参数化单元的建立 | 第56-59页 |
| 5.3.1 参数化单元编写流程 | 第56-57页 |
| 5.3.2 参数化单元的编写 | 第57-59页 |
| 5.4 CDF与寄生效应 | 第59-61页 |
| 本章小结 | 第61-62页 |
| 第六章 总结与展望 | 第62-64页 |
| 6.1 总结 | 第62-63页 |
| 6.2 展望 | 第63-64页 |
| 参考文献 | 第64-70页 |
| 硕士在读期间的科研成果 | 第70-72页 |
| 致谢 | 第72页 |