石墨烯场效应管与射频集成电路研究
| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4-5页 |
| 第1章 引言 | 第9-19页 |
| 1.1 选题背景 | 第9-17页 |
| 1.1.1 石墨烯 | 第9-12页 |
| 1.1.2 石墨烯场效应管 | 第12-15页 |
| 1.1.3 石墨烯射频电路研究现状 | 第15-17页 |
| 1.2 论文内容安排 | 第17-19页 |
| 第2章 石墨烯材料制备与表征 | 第19-27页 |
| 2.1 基于Pt衬底的石墨烯CVD生长 | 第19-20页 |
| 2.2 石墨烯转移 | 第20-21页 |
| 2.3 石墨烯表征 | 第21-26页 |
| 2.4 本章小结 | 第26-27页 |
| 第3章 石墨烯场效应管关键技术 | 第27-50页 |
| 3.1 表面修饰技术 | 第27-34页 |
| 3.1.1 表面修饰背栅场效应管制备 | 第27-31页 |
| 3.1.2 结果分析与讨论 | 第31-34页 |
| 3.2 半悬空沟道的石墨烯场效应管 | 第34-39页 |
| 3.2.1 半悬空沟道的石墨烯场效应管制备 | 第34-35页 |
| 3.2.2 结果分析与讨论 | 第35-39页 |
| 3.3 高性能栅介质与量子电容提取 | 第39-44页 |
| 3.4 石墨烯场效应管在非挥发存储器方面的应用 | 第44-48页 |
| 3.4.1 石墨烯场效应管非挥发存储器制备 | 第44-46页 |
| 3.4.2 测试与讨论 | 第46-48页 |
| 3.5 本章小结 | 第48-50页 |
| 第4章 石墨烯亚微米射频场效应管 | 第50-73页 |
| 4.1 亚微米场石墨烯效应管结构 | 第50-52页 |
| 4.2 去嵌入技术 | 第52-57页 |
| 4.3 亚微米石墨烯场效应管射频性能 | 第57-62页 |
| 4.4 石墨烯场效应管小信号模型 | 第62-72页 |
| 4.4.1 小信号模型建立 | 第62-63页 |
| 4.4.2 小信号模型参数提取 | 第63-69页 |
| 4.4.3 小信号模型物理意义讨论 | 第69-72页 |
| 4.5 本章小结 | 第72-73页 |
| 第5章 石墨烯场效应管大信号模型 | 第73-84页 |
| 5.1 石墨烯场效应管大信号模型建立 | 第73-80页 |
| 5.1.1 直流电路模型 | 第74-77页 |
| 5.1.2 接触电阻模型 | 第77-79页 |
| 5.1.3 电容模型 | 第79-80页 |
| 5.2 大信号模型实验验证 | 第80-83页 |
| 5.3 本章小结 | 第83-84页 |
| 第6章 石墨烯电路集成工艺 | 第84-103页 |
| 6.1 倒置集成工艺提出 | 第84-86页 |
| 6.2 倒置工艺流程 | 第86-93页 |
| 6.3 倒置工艺中的关键技术 | 第93-95页 |
| 6.4 片上无源元件 | 第95-101页 |
| 6.5 本章小结 | 第101-103页 |
| 第7章 石墨烯倍频器与混频器 | 第103-126页 |
| 7.1 石墨烯倍频器 | 第103-110页 |
| 7.1.1 石墨烯倍频概述 | 第103-104页 |
| 7.1.2 石墨烯倍频器制备 | 第104-105页 |
| 7.1.3 石墨烯倍频器测试与分析 | 第105-110页 |
| 7.2 石墨烯混频器 | 第110-125页 |
| 7.2.1 石墨烯混频器概述 | 第110-111页 |
| 7.2.2 石墨烯单管混频器 | 第111-115页 |
| 7.2.3 石墨烯四管双平衡混频器 | 第115-122页 |
| 7.2.4 混频器仿真分析 | 第122-125页 |
| 7.3 本章小结 | 第125-126页 |
| 第8章 石墨烯分布式放大器 | 第126-141页 |
| 8.1 石墨烯放大器概述 | 第126-127页 |
| 8.2 单级共源放大器设计 | 第127-131页 |
| 8.3 石墨烯分布式放大器分析 | 第131-134页 |
| 8.4 基于大信号模型的分布式放大器设计 | 第134-137页 |
| 8.5 基于单管实测数据的分布式放大器设计 | 第137-139页 |
| 8.6 本章小结 | 第139-141页 |
| 第9章 结论 | 第141-143页 |
| 参考文献 | 第143-152页 |
| 致谢 | 第152-154页 |
| 个人简历、在学期间发表的学术论文与研究成果 | 第154-155页 |
