| 中文摘要 | 第3-4页 |
| 英文摘要 | 第4-5页 |
| 专业术语列表 | 第8-9页 |
| 1 绪论 | 第9-15页 |
| 1.1 引言 | 第9页 |
| 1.2 OFETs的研究历史及现状 | 第9-11页 |
| 1.3 OFETs的潜在应用领域及应用面临的问题 | 第11-14页 |
| 1.3.1 有机场效应晶体管潜在的应用领域 | 第11-13页 |
| 1.3.2 有机场效应晶体管应用面临的问题 | 第13-14页 |
| 1.4 本论文研究的内容及意义 | 第14-15页 |
| 2 OFETs器件理化基础介绍 | 第15-33页 |
| 2.1 OFETs器件的构造与制备技术 | 第15-18页 |
| 2.1.1 有机场效应晶体管的构造 | 第15-16页 |
| 2.1.2 OFETs器件的制备技术 | 第16-18页 |
| 2.2 OFETs器件的工作模式与电荷传输机理 | 第18-21页 |
| 2.2.1 有机场效应晶体管的工作模式 | 第18-20页 |
| 2.2.2 有机场效应晶体管OSC层中的电荷传输机理 | 第20-21页 |
| 2.3 OFETs器件的表征与关键性能参数 | 第21-23页 |
| 2.3.1 输出与转移特征曲线 | 第21-23页 |
| 2.3.2 阈值电压 | 第23页 |
| 2.3.3 载流子迁移率 | 第23页 |
| 2.3.4 开关电流比 | 第23页 |
| 2.4 有机半导体材料简介与n型有机半导体材料的研究现状 | 第23-29页 |
| 2.4.1 p型有机半导体材料 | 第24-26页 |
| 2.4.2 n型有机半导体材料 | 第26-29页 |
| 2.4.3 双极性有机半导体材料 | 第29页 |
| 2.5 自组装分子修饰OFETs器件绝缘层表面及自组装分子简介 | 第29-33页 |
| 2.5.1 自组装分子修饰OFETs器件绝缘层表面的意义 | 第29-30页 |
| 2.5.2 修饰绝缘层表面常用的自组装分子及自组装原理简介 | 第30-33页 |
| 3 膦酸自组装分子的设计合成及SAMs薄膜的制备 | 第33-43页 |
| 3.1 研究背景 | 第33-34页 |
| 3.2 实验试剂与仪器设备 | 第34-35页 |
| 3.3 膦酸分子的设计与合成 | 第35-38页 |
| 3.3.1 6-萘氧基己基膦酸（NaPA）的合成 | 第36-37页 |
| 3.3.2 蒽基甲基膦酸（AnPA）的合成 | 第37-38页 |
| 3.4 基片的清洗与SAMs薄膜的制备 | 第38-40页 |
| 3.4.1 清洗基片 | 第38-39页 |
| 3.4.2 制备膦酸自组装分子的SAMs薄膜 | 第39-40页 |
| 3.5 SAMs薄膜的表征及结果 | 第40-42页 |
| 3.6 本章小结 | 第42-43页 |
| 4 PDI类n型有机半导体材料的合成、器件的制备及研究 | 第43-73页 |
| 4.1 研究背景 | 第43页 |
| 4.2 实验试剂与设备 | 第43-45页 |
| 4.3 苝二酰亚胺衍生物n型有机半导体材料的合成与表征 | 第45-52页 |
| 4.3.1 化学合成苝二酰亚胺衍生物 | 第45-47页 |
| 4.3.2 热重分析 | 第47-49页 |
| 4.3.3 LUMO能级的测定 | 第49-52页 |
| 4.4 OFETs器件的制备 | 第52-54页 |
| 4.5 OFETs器件性能的表征结果与讨论 | 第54-66页 |
| 4.5.1 OFETs器件性能的表征结果（Au作为电极） | 第54-63页 |
| 4.5.2 SAMs薄膜修饰绝缘层表面对器件性能的影响 | 第63-64页 |
| 4.5.3 基底温度对器件性能的影响 | 第64-65页 |
| 4.5.4 电极材料对器件性能的影响:Ag做电极的尝试 | 第65-66页 |
| 4.6 OFETs器件OSC多晶薄膜的形貌表征：薄膜形貌与器件性能关系的探讨 | 第66-68页 |
| 4.7 苝二酰亚胺衍生物分子结构和材料半导体性能的关系的简单探讨 | 第68-70页 |
| 4.8 本章小结 | 第70-73页 |
| 5 研究结论与展望 | 第73-75页 |
| 致谢 | 第75-77页 |
| 参考文献 | 第77-85页 |
| 附图 | 第85-89页 |
| 附录 作者在攻读硕士学位期间发表的论文和专利 | 第89页 |
