| 摘要 | 第3-5页 |
| Abstract | 第5-7页 |
| 第一章 绪论 | 第11-37页 |
| 1.1 研究背景及意义 | 第11-12页 |
| 1.2 半导体自旋注入的原理和方法 | 第12-20页 |
| 1.2.1 自旋的光注入 | 第12-13页 |
| 1.2.2 自旋的电注入 | 第13-20页 |
| 1.3 硅基自旋注入的研究进展 | 第20-21页 |
| 1.4 自旋探测的原理和方法 | 第21-24页 |
| 1.5 直接隧穿模型和标准理论 | 第24-28页 |
| 1.6 存在问题及选题依据 | 第28-29页 |
| 1.7 本论文的研究目的和内容 | 第29-30页 |
| 参考文献 | 第30-37页 |
| 第二章 硅基自旋注入电极薄膜的制备与磁性能研究 | 第37-68页 |
| 2.1 不同厚度NiFe薄膜的制备与基本磁性 | 第38-41页 |
| 2.2 退火对NiFe薄膜结构和基本磁性的影响 | 第41-47页 |
| 2.3 自旋注入电极NiFe薄膜的制备工艺优化及其磁各向异性 | 第47-54页 |
| 2.4 NiFe与衬底Si接触界面的互扩散情况 | 第54-58页 |
| 2.5 CoFe薄膜的制备与磁性能 | 第58-62页 |
| 2.6 本章小结 | 第62-64页 |
| 参考文献 | 第64-68页 |
| 第三章 硅基自旋注入介质层薄膜的制备及相关特性研究 | 第68-94页 |
| 3.1 电子束蒸发（E-Beam）法制备HfO_2薄膜 | 第69-73页 |
| 3.2 E-Beam法制备的HfO_2/Si和Al_2O_3/Si的电学特性 | 第73-76页 |
| 3.3 原子层沉积（ALD）法制备HfO_2薄膜及其界面、电学特性 | 第76-84页 |
| 3.3.1 ALD技术原理及设备简介 | 第76-78页 |
| 3.3.2 HfO_2超薄薄膜的ALD法制备过程 | 第78页 |
| 3.3.3 HfO_2薄膜的测试与表征 | 第78-79页 |
| 3.3.4 ALD生长HfO_2薄膜的表面形貌和内部结构 | 第79-83页 |
| 3.3.5 NiFe/HfO_2/n~+-Si的I-V特性 | 第83-84页 |
| 3.4 HfO_2插层对NiFe/p-Si肖特基势垒高度的调节作用 | 第84-88页 |
| 3.5 本章小结 | 第88-90页 |
| 参考文献 | 第90-94页 |
| 第四章 硅基自旋注入三端器件的研制 | 第94-110页 |
| 4.1 引言 | 第94-96页 |
| 4.2 实验设计与器件制作 | 第96-99页 |
| 4.3 器件性能测试与分析 | 第99-106页 |
| 4.3.1 NiFe/HfO_2/Si器件的Hanle曲线测试及自旋注入参数提取 | 第100-105页 |
| 4.3.2 NiFe/Al_2O_3/Si器件的Hanle曲线测试及分析 | 第105-106页 |
| 4.4 本章小结 | 第106-107页 |
| 参考文献 | 第107-110页 |
| 第五章 Ge pMOSFET的研制及其电学特性 | 第110-122页 |
| 5.1 引言 | 第110-112页 |
| 5.2 实验设计与器件制作 | 第112-115页 |
| 5.3 Ge pMOSFET的电学性能测试与分析 | 第115-119页 |
| 5.4 本章小结 | 第119-120页 |
| 参考文献 | 第120-122页 |
| 第六章 总结与展望 | 第122-125页 |
| 附录 在职攻读博士期间的研究成果 | 第125-126页 |
| 致谢 | 第126-128页 |
