中文摘要 | 第3-4页 |
Abstract | 第4页 |
第一章 绪论 | 第7-12页 |
1.1 引言 | 第7-8页 |
1.2 Ph OFET 的研究发展 | 第8-9页 |
1.3 宽光谱光敏有机场效应管的应用及研究意义 | 第9-10页 |
1.4 本文的创新点及主要内容 | 第10-12页 |
1.4.1 本文的创新点 | 第10-11页 |
1.4.2 本文的主要内容 | 第11-12页 |
第二章 光敏有机场效应管(PhOFET)相关介绍 | 第12-20页 |
2.1 PhOFET的基本结构 | 第12-13页 |
2.2 PhOFET材料 | 第13-16页 |
2.2.1 有机半导体材料 | 第13-15页 |
2.2.2 栅介质材料 | 第15页 |
2.2.3 电极材料 | 第15-16页 |
2.3 PhOFET的工作原理及主要参数 | 第16-19页 |
2.3.1 PhOFET的工作原理 | 第16-17页 |
2.3.2 PhOFET的主要参数 | 第17-19页 |
2.4 本章小结 | 第19-20页 |
第三章 基于体异质结宽光谱响应光敏有机场效应管 | 第20-41页 |
3.1 引言 | 第20页 |
3.2 PhOFET器件的制备 | 第20-22页 |
3.2.1 SiO_2栅介质层PhOFET器件制备 | 第20-21页 |
3.2.2 聚乙烯醇栅介质层PhOFET器件制备 | 第21-22页 |
3.3 PhOFET性能表征 | 第22-40页 |
3.3.1 SiO_2栅介质层PhOFET器件性能表征 | 第23-31页 |
3.3.2 聚乙烯醇栅介质层PhOFET器件性能表征 | 第31-40页 |
3.4 PhOFET性能结果分析 | 第40页 |
3.5 本章小结 | 第40-41页 |
第四章 三元体异质结宽光谱响应光敏有机场效应管 | 第41-61页 |
4.1 引言 | 第41页 |
4.2 PhOFET器件的制备 | 第41-42页 |
4.2.1 SiO_2栅介质层PhOFET器件制备 | 第41页 |
4.2.2 聚乙烯醇栅介质层PhOFET器件制备 | 第41-42页 |
4.3 PhOFET性能表征 | 第42-58页 |
4.3.1 SiO_2栅介质层PhOFET器件性能表征 | 第42-50页 |
4.3.2 聚乙烯醇栅介质层PhOFET器件性能表征 | 第50-58页 |
4.4 PhOFET性能结果分析 | 第58-60页 |
4.5 本章小结 | 第60-61页 |
第五章 总结与展望 | 第61-63页 |
5.1 总结 | 第61页 |
5.2 展望 | 第61-63页 |
参考文献 | 第63-67页 |
在学期间研究成果 | 第67-68页 |
致谢 | 第68页 |