| 摘要 | 第4-5页 |
| abstract | 第5页 |
| 第一章 绪论 | 第7-15页 |
| 1.1 功率半导体器件历史背景 | 第7-8页 |
| 1.2 功率器件VDMOS国内外发展概述 | 第8-13页 |
| 1.2.1 国外发展状况 | 第8-12页 |
| 1.2.2 国内发展状况 | 第12-13页 |
| 1.3 VDMOS优点与应用 | 第13页 |
| 1.4 研究意义 | 第13页 |
| 1.5 本文的主要内容与工作 | 第13-14页 |
| 1.6 各章节安排与介绍 | 第14-15页 |
| 第二章 VDMOS工作原理 | 第15-26页 |
| 2.1 VDMOS工作特性机理分析 | 第15-23页 |
| 2.1.1 VDMOS阻断特性 | 第15-16页 |
| 2.1.2 VDMOS的导通特性 | 第16-21页 |
| 2.1.3 阈值特性 | 第21-22页 |
| 2.1.4 FOM(FigureofMerit)优值 | 第22-23页 |
| 2.2 VDMOS的结构优化 | 第23-25页 |
| 2.3 本章小结 | 第25-26页 |
| 第三章 VDMOS特性研究 | 第26-38页 |
| 3.1 器件结构和工作机理 | 第26-27页 |
| 3.2 器件性能研究 | 第27-30页 |
| 3.2.1 耐压特性研究 | 第27-28页 |
| 3.2.2 器件开态特性研究 | 第28-30页 |
| 3.3 器件关键参数的优化 | 第30-35页 |
| 3.3.1 元胞宽度优化 | 第30-33页 |
| 3.3.2 漂移区浓度优化 | 第33-35页 |
| 3.4 器件制造工艺设计 | 第35-37页 |
| 3.5 本章小结 | 第37-38页 |
| 第四章 具有高掺杂JFET区的VDMOS研究 | 第38-51页 |
| 4.1 器件结构和工作机理 | 第38-39页 |
| 4.2 器件耐压特性研究 | 第39-41页 |
| 4.3 器件开态特性研究 | 第41-43页 |
| 4.4 器件关键参数优化 | 第43-49页 |
| 4.5 器件工艺可行性分析 | 第49-50页 |
| 4.6 本章小结 | 第50-51页 |
| 第五章 总结与展望 | 第51-53页 |
| 5.1 总结 | 第51-52页 |
| 5.2 展望 | 第52-53页 |
| 参考文献 | 第53-56页 |
| 附录1 攻读硕士学位期间撰写的论文 | 第56-57页 |
| 附录2 攻读硕士学位期间申请的专利 | 第57-58页 |
| 附录3 攻读硕士学位期间参加的科研项目 | 第58-59页 |
| 致谢 | 第59页 |