| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第10-47页 |
| 1.1 引言 | 第10-11页 |
| 1.2 场效应晶体管简介 | 第11-19页 |
| 1.2.1 场效应晶体管的基本原理 | 第11-12页 |
| 1.2.2 场效应晶体管的基本参数 | 第12-18页 |
| 1.2.3 场效应晶体管的基本构型 | 第18-19页 |
| 1.3 点接触-纳米线交叉结器件 | 第19-29页 |
| 1.3.1 纳米线交叉结器件制备 | 第19-22页 |
| 1.3.2 纳米线交叉结器件应用 | 第22-27页 |
| 1.3.3 机制分析 | 第27-29页 |
| 1.3.4 面临的问题与挑战 | 第29页 |
| 1.4 面接触-多层薄膜器件 | 第29-39页 |
| 1.4.1 多层薄膜器件 | 第29-32页 |
| 1.4.2 多层薄膜场效应晶体管 | 第32-39页 |
| 1.4.3 面临的问题与挑战 | 第39页 |
| 1.5 本论文的选题依据和意义 | 第39-41页 |
| 参考文献 | 第41-47页 |
| 第二章 纳米线交叉结界面对无机SnO_2纳米线场效应晶体管电学性能的调控 | 第47-63页 |
| 2.1 引言 | 第47-48页 |
| 2.2 交叉结器件的制备 | 第48-50页 |
| 2.2.1 半导体的生长 | 第48-49页 |
| 2.2.2 器件的制备 | 第49-50页 |
| 2.3 交叉结对SnO_2电阻型器件电学性能的调控 | 第50-52页 |
| 2.4 交叉结对SnO_2场效应晶体管电学性能的调控 | 第52-59页 |
| 2.4.1 SnO_2纳米线场效应晶体管的基本性能 | 第53-54页 |
| 2.4.2 交叉结对SnO_2场效应晶体管电学性能的调控 | 第54-56页 |
| 2.4.3 机制分析 | 第56-59页 |
| 2.5 本章小结 | 第59-60页 |
| 参考文献 | 第60-63页 |
| 第三章 纳米线交叉结界面对有机单晶场效应晶体管电学性能的调控 | 第63-86页 |
| 3.1 引言 | 第63-64页 |
| 3.2 器件制备 | 第64-66页 |
| 3.2.1 半导体生长 | 第64-66页 |
| 3.2.2 器件的制备 | 第66页 |
| 3.3 交叉结对F_(16)CuPc纳米线场效应晶体管电学性能的调控 | 第66-74页 |
| 3.3.1 F_(16)CuPc纳米线场效应晶体管的基本性能 | 第66-68页 |
| 3.3.2 交叉结对F_(16)CuPc纳米线场效应晶体管电学性能的调控 | 第68-71页 |
| 3.3.3 机制分析 | 第71-74页 |
| 3.4 交叉结对红荧烯纳米带场效应晶体管电学性能的调控 | 第74-79页 |
| 3.4.1 红荧烯纳米带场效应晶体管的基本性能 | 第75-77页 |
| 3.4.2 交叉结对红荧烯纳米带场效应晶体管电学性能的调控 | 第77-79页 |
| 3.5 无机、有机半导体交叉结的机制分析 | 第79-81页 |
| 3.6 本章小结 | 第81-83页 |
| 参考文献 | 第83-86页 |
| 第四章 多层薄膜界面对双极性场效应晶体管电学性能的调控 | 第86-105页 |
| 4.1 引言 | 第86-87页 |
| 4.2 薄膜双极性晶体管的制备 | 第87-89页 |
| 4.3 双极性场效应晶体管基本性能的优化 | 第89-93页 |
| 4.3.1 双极性场效应晶体管基本性能的优化 | 第89-91页 |
| 4.3.2 分析提高器件性能的原因 | 第91-93页 |
| 4.4 双极性晶体管光响应性能的增强及其机制研究 | 第93-96页 |
| 4.5 双极性晶体管在电路中的应用 | 第96-101页 |
| 4.5.1 互补型反相器 | 第96-99页 |
| 4.5.2 基本逻辑门(OR、NOT、NOR) | 第99-101页 |
| 4.6 本章小结 | 第101-102页 |
| 参考文献 | 第102-105页 |
| 第五章 总结与展望 | 第105-108页 |
| 5.1 总结 | 第105-107页 |
| 5.2 问题与展望 | 第107-108页 |
| 致谢 | 第108-109页 |
| 在学期间公开发表论文、申请专利及参加会议情况 | 第109页 |
