| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4-5页 |
| 1 绪论 | 第8-17页 |
| 1.1 研究背景和Si基MOS器件面临的挑战 | 第8-10页 |
| 1.2 GaAs半导体材料的优势 | 第10-11页 |
| 1.3 GaAsMOS高k栅介质研究现状和面临的问题 | 第11-15页 |
| 1.4 本文主要工作和内容安排 | 第15-17页 |
| 2 ZnON钝化层改善高k栅介质GaAsMOS界面特性研究 | 第17-29页 |
| 2.1 引言 | 第17-18页 |
| 2.2 器件制备工艺和性能表征 | 第18-20页 |
| 2.3 实验过程 | 第20页 |
| 2.4 实验结果和分析 | 第20-27页 |
| 2.5 本章小结 | 第27-29页 |
| 3 ZnON钝化层掺La改善GaAsMOS界面和电特性研究 | 第29-38页 |
| 3.1 引言 | 第29页 |
| 3.2 实验过程 | 第29-30页 |
| 3.3 实验结果和分析 | 第30-37页 |
| 3.4 本章小结 | 第37-38页 |
| 4 NH_3等离子体处理ZnLaON钝化层工艺条件的优化 | 第38-43页 |
| 4.1 引言 | 第38页 |
| 4.2 实验过程 | 第38-39页 |
| 4.3 实验结果和分析 | 第39-41页 |
| 4.4 本章小结 | 第41-43页 |
| 5 总结及展望 | 第43-46页 |
| 5.1 总结与创新点 | 第43-45页 |
| 5.2 展望 | 第45-46页 |
| 致谢 | 第46-47页 |
| 参考文献 | 第47-54页 |
| 附录 攻读硕士学位期间发表论文目录 | 第54页 |
