| 摘要 | 第2-3页 |
| Abstract | 第3-4页 |
| 1 绪论 | 第7-18页 |
| 1.1 研究背景 | 第7-10页 |
| 1.2 SiC MOS界面钝化的国内外研究现状 | 第10-16页 |
| 1.3 本文的研究思想和内容 | 第16-18页 |
| 2 SiO_2/SiC界面的理论模型及研究方法 | 第18-29页 |
| 2.1 引言 | 第18页 |
| 2.2 SiO_2/SiC界面的理论模型 | 第18-20页 |
| 2.3 评价界面缺陷的关键数据 | 第20-22页 |
| 2.3.1 形成能 | 第20-21页 |
| 2.3.2 态密度 | 第21页 |
| 2.3.3 电荷密度 | 第21-22页 |
| 2.4 计算方法 | 第22-28页 |
| 2.4.1 第一性原理 | 第22-24页 |
| 2.4.2 密度泛函理论 | 第24-27页 |
| 2.4.3 计算软件 | 第27-28页 |
| 2.5 本章小结 | 第28-29页 |
| 3 碳二聚体缺陷的结构和电子性质 | 第29-35页 |
| 3.1 引言 | 第29页 |
| 3.2 碳二聚体缺陷的物理模型 | 第29-32页 |
| 3.3 碳二聚体缺陷的态密度和电子分布 | 第32-34页 |
| 3.4 本章小结 | 第34-35页 |
| 4 碳二聚体缺陷的钝化研究 | 第35-54页 |
| 4.1 引言 | 第35页 |
| 4.2 碳二聚体缺陷的H钝化 | 第35-38页 |
| 4.2.1 O_2-C=C-O_2缺陷的H钝化 | 第35-37页 |
| 4.2.2 O_2-(C=C)'-O_2缺陷的H钝化 | 第37-38页 |
| 4.3 碳二聚体缺陷的NO钝化 | 第38-53页 |
| 4.3.1 O_2-C=C-O_2缺陷的NO钝化 | 第38-44页 |
| 4.3.2 O_2-(C=C)'-O_2缺陷的NO钝化 | 第44-53页 |
| 4.4 本章小结 | 第53-54页 |
| 结论 | 第54-55页 |
| 参考文献 | 第55-61页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第61-62页 |
| 致谢 | 第62-64页 |