SiC MOSFET开关行为及故障诊断研究
| 致谢 | 第3-4页 |
| 摘要 | 第4-5页 |
| abstract | 第5-6页 |
| 变量注释表 | 第16-18页 |
| 1 绪论 | 第18-27页 |
| 1.1 研究课题背景及意义 | 第18-19页 |
| 1.2 SiCMOSFET的优势 | 第19-20页 |
| 1.3 SiCMOSFET模块发展水平 | 第20-22页 |
| 1.4 SiCMOSFET工业应用现状 | 第22-24页 |
| 1.5 SiCMOSFET应用挑战 | 第24-25页 |
| 1.6 本文研究内容 | 第25-27页 |
| 2 SiCMOSFET开关行为特性 | 第27-54页 |
| 2.1 SiCMOSFET电气特性参数 | 第27-31页 |
| 2.2 开关行为分析 | 第31-37页 |
| 2.3 高频振荡特性 | 第37-41页 |
| 2.4 开关行为特性仿真与实验 | 第41-51页 |
| 2.5 开关行为调控 | 第51-53页 |
| 2.6 本章小结 | 第53-54页 |
| 3 基于PCB罗氏线圈短路电流抑制与保护研究 | 第54-75页 |
| 3.1 SiCMOSFET短路原理 | 第54-57页 |
| 3.2 短路电流抑制方法 | 第57-62页 |
| 3.3 PCB罗氏线圈短路保护方法 | 第62-68页 |
| 3.4 短路抑制与保护实验 | 第68-74页 |
| 3.5 本章小结 | 第74-75页 |
| 4 基于栅极电荷检测的栅极故障自诊断研究 | 第75-94页 |
| 4.1 栅极故障原理 | 第75-78页 |
| 4.2 自诊断电路设计 | 第78-79页 |
| 4.3 栅极电荷影响因素 | 第79-86页 |
| 4.4 模拟栅极故障电路仿真 | 第86-90页 |
| 4.5 模拟栅极故障电路实验 | 第90-92页 |
| 4.6 本章小结 | 第92-94页 |
| 5 总结与展望 | 第94-96页 |
| 5.1 总结 | 第94-95页 |
| 5.2 展望 | 第95-96页 |
| 参考文献 | 第96-103页 |
| 作者简历 | 第103-105页 |
| 学位论文数据集 | 第105页 |
