| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 符号对照表 | 第13-14页 |
| 缩略语对照表 | 第14-18页 |
| 第一章 绪论 | 第18-28页 |
| 1.1 TFET的出现 | 第18-20页 |
| 1.2 TFET器件的工作原理 | 第20-23页 |
| 1.2.1 MOSFET与TFET工作原理的对比 | 第20-22页 |
| 1.2.2 带带隧穿的物理机制 | 第22页 |
| 1.2.3 横向和纵向隧穿 | 第22-23页 |
| 1.3 TFET的现状与挑战 | 第23-25页 |
| 1.4 本文的主要内容 | 第25-28页 |
| 第二章 TFET器件的优化方案 | 第28-48页 |
| 2.1 TFET栅结构优化 | 第28-34页 |
| 2.1.1 双栅,鳍型栅,围栅TFET | 第28-30页 |
| 2.1.2 异质栅材料(DMG)TFET | 第30-31页 |
| 2.1.3 异质栅介质结构(HGD)TFET | 第31-33页 |
| 2.1.4 栅覆盖结构 | 第33-34页 |
| 2.2 TFET源漏结构优化 | 第34-39页 |
| 2.2.1 源区相关的器件结构优化 | 第34-36页 |
| 2.2.2 漏区相关的器件结构优化 | 第36-38页 |
| 2.2.3 无结结构 | 第38-39页 |
| 2.3 其他优化措施 | 第39-41页 |
| 2.4 TCAD仿真软件介绍 | 第41-46页 |
| 2.4.1 简介 | 第41-42页 |
| 2.4.2 带带隧穿模型 | 第42-45页 |
| 2.4.3 TCAD中使用的其他主要模型 | 第45-46页 |
| 2.5 本章小结 | 第46-48页 |
| 第三章 LTFET器件结构优化与基本电学特性分析 | 第48-72页 |
| 3.1 LTFET的提出 | 第48-50页 |
| 3.2 异质栅介质结构的引入 | 第50-55页 |
| 3.2.1 基本结构 | 第50页 |
| 3.2.2 转移特性 | 第50-51页 |
| 3.2.3 能带结构 | 第51-52页 |
| 3.2.4 BTBT产生率 | 第52页 |
| 3.2.5 电场强度分析 | 第52-53页 |
| 3.2.6 转移特性(Vds=0.5V) | 第53-54页 |
| 3.2.7 能带图(Vds=0.5V) | 第54页 |
| 3.2.8 低Κ介质厚度的影响 | 第54-55页 |
| 3.3 轻掺杂漏结构的引入 | 第55-62页 |
| 3.3.1 基本结构 | 第56页 |
| 3.3.2 转移特性 | 第56-57页 |
| 3.3.3 能带结构 | 第57页 |
| 3.3.4 电势分布 | 第57-58页 |
| 3.3.5 电场强度分析 | 第58页 |
| 3.3.6 转移特性(Vds=0.5V) | 第58-59页 |
| 3.3.7 能带图(Vds=0.5V) | 第59页 |
| 3.3.8 LDD长度的优化 | 第59-61页 |
| 3.3.9 LDD掺杂浓度的优化 | 第61-62页 |
| 3.4 栅漏不覆盖结构的引入 | 第62-66页 |
| 3.4.1 基本结构 | 第62页 |
| 3.4.2 转移特性 | 第62-63页 |
| 3.4.3 能带结构 | 第63页 |
| 3.4.4 电场分布 | 第63-64页 |
| 3.4.5 转移特性(Vds=0.5V) | 第64页 |
| 3.4.6 能带图(Vds=0.5V) | 第64-65页 |
| 3.4.7 Underlap长度的优化 | 第65-66页 |
| 3.5 多种结构综合影响效果分析 | 第66-69页 |
| 3.5.1 HGD+LDD结构 | 第66-68页 |
| 3.5.2 HGD+Underlap结构 | 第68-69页 |
| 3.6 LHU-LTFET器件 | 第69-71页 |
| 3.7 本章小结 | 第71-72页 |
| 第四章 射频及模拟特性分析 | 第72-80页 |
| 4.1 结构参数对跨导的影响 | 第72-74页 |
| 4.1.1 轻掺杂漏结构与异质栅介质结构对跨导的影响 | 第72-73页 |
| 4.1.2 栅漏不覆盖结构与异质栅介质结构对跨导的影响 | 第73-74页 |
| 4.2 结构参数对电容的影响 | 第74-75页 |
| 4.2.1 轻掺杂漏结构与异质栅介质结构对电容的影响 | 第74页 |
| 4.2.2 栅漏不覆盖结构与异质栅介质结构对电容的影响 | 第74-75页 |
| 4.3 结构参数对特征频率(fT)的影响 | 第75-77页 |
| 4.3.1 轻掺杂漏结构与异质栅介质结构对特征频率(fT)的影响 | 第76页 |
| 4.3.2 栅漏不覆盖结构与异质栅介质结构对特征频率(fT)的影响 | 第76-77页 |
| 4.4 结构参数对增益带宽积(GBP)的影响 | 第77-79页 |
| 4.4.1 轻掺杂漏结构与异质栅介质结构对增益带宽积(GBP)的影响 | 第77-78页 |
| 4.4.2 栅漏不覆盖结构与异质栅介质结构对增益带宽积(GBP)的影响 | 第78-79页 |
| 4.5 本章小结 | 第79-80页 |
| 第五章 器件工艺实现 | 第80-92页 |
| 5.1 LHU-LTFET器件的工艺实现步骤 | 第80-86页 |
| 5.2 LHU-LTFET器件工艺仿真 | 第86-90页 |
| 5.2.1 LHU-LTFET转移特性 | 第88-89页 |
| 5.2.2 LHU-LTFET的隧穿产生率分布 | 第89-90页 |
| 5.3 本章小结 | 第90-92页 |
| 第六章 总结与展望 | 第92-94页 |
| 参考文献 | 第94-100页 |
| 致谢 | 第100-102页 |
| 作者简介 | 第102-103页 |
